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J-GLOBAL ID：202002262519498365   整理番号：20A0982278

γ線照射によるZnO薄膜のNH_3検出性能の向上【JST・京大機械翻訳】

Enhancement in NH₃ sensing performance of ZnO thin-film via gamma-irradiation

著者 (7件)： Waikar Maqsood R. (Radiation & Materials Research Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur, 416 004 (M.S), India) ,  Raste Pooja M. (Radiation & Materials Research Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur, 416 004 (M.S), India) ,  Sonker Rakesh K. (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, 110 007, India) ,  Gupta Vinay (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, 110 007, India) ,  Tomar Monika (Department of Physics, Miranda House, University of Delhi, Delhi, 110 007, India) ,  Shirsat Mahendra D. (RUSA-Centre for Advanced Sensor Technology, Dr. Babasaheb Ambedkar Marathwada University, Aurangabad, Maharashtra, 431 004, India) ,  Sonkawade Rajendra G. (Radiation & Materials Research Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur, 416 004 (M.S), India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 830  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,化学的に合成された酸化亜鉛(ZnO)薄膜を,NH3検出における可能な増大のために,異なる線量において,コバルト-60(Co-60),1.25MeVのガンマ線源の平均エネルギーに曝露した。六方晶系結晶構造はXRDスペクトルにより確認され,結晶サイズの増大は放射線の増加と共に観察され,50kGy線量では減少した。FTIRスペクトルはγ線照射後のピーク位置に有意な変化はなかった。形態学的研究は,膜表面上の1D ZnO六方晶ナノロッドの成熟を示した。しかし,γ線照射後,ZnOナノロッドは結合し,バンチを形成した。バンドギャップは元のZnO薄膜と比較して50kGy線量で増加した。しかし,キャラクタリゼーション結果分析は,γ線照射が化学的に調製したZnO微細構造において顕著な改善をもたらすことを示した。照射後(30kGy)ZnO薄膜センサは,元の試料に対する1.01と比較して,400ppmNH3ガス検出に対する応答因子として7.29を達成した。本研究の結果は,γ線照射が,化学工業および研究室においてγ線照射ZnOセンサを使用する大きな可能性を有するZnO薄膜のセンシング性能の改善のための有効な技術であることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *γ線照射 ,  結晶構造 ,  *薄膜 ,  放射線 ,  アンモニア ,  酸化亜鉛 ,  スペクトル ,  放射線量 ,  化学合成 ,  六方晶系 ,  一次元 ,  バンドギャップ ,  ナノロッド
準シソーラス用語： FTIRスペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 化学合成 ,  FESEM ,  TEM ,  薄膜

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (3件)： γ線 ,  ZnO薄膜 ,  検出性能