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J-GLOBAL ID：202002262687905624   整理番号：20A0919160

RRAMアレイの高並列でエネルギー効率の良い成形のための自己終端動作方式【JST・京大機械翻訳】

A Self-Terminated Operation Scheme for High-Parallel and Energy-Efficient Forming of RRAM Array

著者 (14件)： Feng Yulin (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Huang Peng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Zhang Yizhou (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Shen Wensheng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Xu Weijie (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Xiang Yachen (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Ding Xiangxiang (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Zhao Yudi (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Gao Bin (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Wu Huaqiang (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Qian He (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Liu Lifeng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Liu Xiaoyan (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Kang Jinfeng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 4  ページ： e1901324  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直列(C_ST)にコンデンサを導入することにより,自己終端(ST)動作方式を提案して,時間とエネルギー消費を低減した抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)アレイの高並列形成を達成した。RRAMセルを低抵抗状態に切り替えると,電流はコンデンサにより自動的に遮断され,並列性とエネルギー効率を大幅に改善することができる。相互接続(C_ワイヤ)のワイヤ静電容量を,C_STとして利用することができ,それは,提案したST方式のための追加回路またはプロセス費用がないことを意味した。1kb RRAMアレイにおける提案ST動作方式の実験検証の成功後に,1Gb RRAMメモリの性能を評価し,成形時間(0.6hから0.84sまで)とエネルギー消費の×10~4改善において×10~3改善を示した。さらに,アレイ形成のための動作方式を実験的に活用することにより,素子信頼性を劣化させることなく,動作電流をその後のスイッチング過程で低減し,提案したST動作方式の実現可能性と低電力応用におけるその可能性を実証した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  *コンデンサ ,  スイッチング ,  電流 ,  信頼性 ,  相互接続 ,  静電容量 ,  電力応用 ,  エネルギー消費 ,  金属線 ,  エネルギー効率
準シソーラス用語： *ReRAM ,  実験検証 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 成形 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  自己終端運転 ,  ワイヤ容量

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： RRAM ,  アレイ ,  エネルギー効率 ,  自己 ,  終端