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J-GLOBAL ID：202002262747420800   整理番号：20A0954724

27.2M0N0:10nW睡眠パワーを有する性能調節0.8~38MHz DVFS腕皮質M33 simdMu【JST・京大機械翻訳】

27.2 M0N0: A Performance-Regulated 0.8-to-38MHz DVFS ARM Cortex-M33 SIMD MCU with 10nW Sleep Power

著者 (11件)： Prabhat Pranay (ARM,Cambridge,United Kingdom) ,  Labbe Benoit (ARM,Cambridge,United Kingdom) ,  Knight Graham (ARM,Cambridge,United Kingdom) ,  Savanth Anand (ARM,Cambridge,United Kingdom) ,  Svedas Jonas (ARM,Cambridge,United Kingdom) ,  Walker Matthew J (ARM,Cambridge,United Kingdom) ,  Jeloka Supreet (ARM,Austin,TX) ,  Fan Philex Ming-Yan (ARM,Cambridge,United Kingdom) ,  Garcia-Redondo Fernando (ARM,Cambridge,United Kingdom) ,  Achuthan Thanusree (ARM,Cambridge,United Kingdom) ,  Myers James (ARM,Cambridge,United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ISSCC  ページ： 422-424  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の研究では,低出力MCU[1],[2],[5]における活性エネルギーを低減するためのサブ閾値動作を示している。しかし,いくつかの応用は付加的な制約を課す。遠隔地に配備された電池給電センサノードに対して,MCUは,センサが活動を検出するときのみ,長期間にわたって休眠する可能性がある。このような場合,MCUは,電池寿命を最大にするために非常に低い睡眠電力,まれなセンサ事象を捕捉するための決定論的リアルタイム応答,および十分な計算とメモリを用いてエネルギー効率の良い運転を必要とし,有用な作業負荷を実行する必要がある。本研究では,0~85°Cと1.0~1.5Vの電池電圧の動作範囲にわたって,0.8MHz(0.40V)から38MHz(0.75V)までの10nWの睡眠電力(4KBの保持)を達成する制約付き電池駆動センサノード用の65nmのArm Cortex-M33SoCを示した。ディジタル回路の最適化により,高活性キーワードスポッティング(KWS)作業負荷において,有効電力を47μW(20PJ/サイクル)に低減した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  記憶装置 ,  最適化 ,  電圧 ,  電池 ,  電力 ,  有効電力 ,  *皮質 ,  センサ ,  電力供給 ,  ディジタル回路
準シソーラス用語： 実時間 ,  センサノード ,  電池寿命 ,  遠隔地 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 睡眠 ,  パワー ,  調節 ,  DVFS ,  腕 ,  皮質