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J-GLOBAL ID：202002262945902343   整理番号：20A1802633

高分子誘電体とキャリア注入層の組合せによるナフタレン系有機薄膜トランジスタの実験研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental Investigation of naphthalene based organic thin-film transistors by combining a polymer dielectric and a carrier injection layer

著者 (4件)： Ohyama Atsuro (Interdisciplinary Graduate School of Science and Technology, Shinshu University, Nagano, Japan) ,  Hirata Naoki (Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd., Tokyo, Japan) ,  Oguma Naomi (Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd., Tokyo, Japan) ,  Ichikawa Musubu (Department of Chemistry and Materials, Faculty of Textile Science and Technology, Shinshu University, Nagano, Japan)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 33  ページ： 335102 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ナフタレンジイミド誘導体(NTCDI-C13)に基づく熱蒸着有機薄膜トランジスタ(OTFTs)を作製し,フッ化セシウム(CsF)による接触ドーピングプロセスを研究した。OTFTsは,蒸発過程中の3D針状NTCDI-C13結晶形成の抑制に寄与する高分子誘電層(CYTOPTM)を組込んだ。結果は,CsFとCYTOPの組合せがデバイスを著しく改善し,0.3cm2/Vsの固有移動度と10Vの閾値電圧をもたらすことを実証した。デバイスの安定性を大気条件下で調べた。TFTsは最小の性能損失を示し,大気中で数分後に移動度の過大な過大評価があることが観察された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  蒸発 ,  真空蒸着 ,  *誘電体 ,  *高分子 ,  ジイミド誘導体 ,  フッ化セシウム ,  *キャリア注入 ,  三次元 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  閾値電圧 ,  絶縁層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ナフタレン

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子誘電体 ,  キャリア注入 ,  組合せ ,  ナフタレン ,  有機薄膜トランジスタ ,  実験 ,  研究