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J-GLOBAL ID:202002263283908911   整理番号:20A0522243

最小ねじれ二層グラフェンにおける完全で制御可能なネスティング【JST・京大機械翻訳】

Perfect and Controllable Nesting in Minimally Twisted Bilayer Graphene
著者 (9件):
資料名:
巻: 20  号:ページ: 971-978  発行年: 2020年 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Fermi面(FS)の平行(ネステッド)領域は電子流体の不安定性を駆動する。例えば,元素クロムのスピン密度波である。一次元材料において,FSは三重に完全に入れられている(単一ネスティングベクトルは二つのFermiドットを接続する)。一方,高次元ではFSの一部のみが平行シートから成る。ねじれ二分子層グラフェン(tBLG)の小さい角度領域は,層間バイアスによりアクセス可能な相を有し,その中でFSは完全に安定な「Fermi線」から成り,二次元(2D)材料中の完全に入れられたFSの最初の例であることを実証した。この入れ子相は,ねじれ二分子層の理想と緩和構造の両方において見出された。この材料におけるトポロジー状態の最近のSTM像との優れた一致を実証し,これらと基礎となるFermi学の間の関係を明らかにした。Fermi線ネットワークの幾何構造は適用した層間バイアスの強さにより制御可能であり,tBLGは2D材料におけるFSネスティングの物理への前例のないアクセスを提供することを示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
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炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (3件):
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