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J-GLOBAL ID：202002263557602446   整理番号：20A0811289

ガス絶縁ラインのためのマグネトロンスパッタリングによる表面傾斜誘電率を持つエポキシ絶縁体【JST・京大機械翻訳】

Epoxy insulator with surface graded-permittivity by magnetron sputtering for gas-insulated line

著者 (5件)： Du B. X. (Key Laboratory of Smart Grid of Education Ministry, School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Wang Z. H. (Key Laboratory of Smart Grid of Education Ministry, School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Li J. (Key Laboratory of Smart Grid of Education Ministry, School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Liang H. C. (Key Laboratory of Smart Grid of Education Ministry, School of Electrical and Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Li Z. H. (Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application of Education Ministry, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China)
資料名： IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation  (IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation)
巻： 27  号： 1  ページ： 197-205  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0578A  ISSN： 1070-9878  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ACガス絶縁線(GIL)における電場濃度誘起フラッシュオーバを低減するために,表面傾斜機能材料(SFGM)の新しい概念を提案し,絶縁体表面上にBaTiO_3を堆積することにより,連続的に傾斜した高AE層を作製した。BaTiO_3層の厚さ分布を最適化するために反復法を導入した。4回の繰り返しの後,層厚分布はほぼ最適解に達し,最大電界強度は従来の絶縁体のそれと比較して約70%減少した。最適化されたSFGM絶縁体を作製するために,設計されたギャップを有する回転可能なバッフルを,スパッタリング過程の間に絶縁体上に置いた。比較のために,4μmのBaTiO_3層と4つの勾配を有する離散的に傾斜した絶縁体を有する一様にスパッタされた絶縁体を調製した。異なる絶縁体の電気的性能を評価するために,電場シミュレーションと実験を行った。結果は,従来の絶縁体と比較して,スパッタ絶縁体,特に最適化したSFGM絶縁体は,50Hzの電圧の下で絶縁体表面に沿った電界分布の均一性を著しく改善できることを示した。従って,絶縁体の放電開始電圧とフラッシュオーバ電圧は両方とも著しく増加した。負の標準雷インパルス電圧(1.2/50μs)下で,スパッタ絶縁体は従来の絶縁体に匹敵する絶縁性能を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *絶縁体 ,  衝撃電圧 ,  電界強度 ,  逐次近似 ,  電圧 ,  電場 ,  *誘電率 ,  シミュレーション ,  スパッタリング ,  *ガス絶縁 ,  層厚 ,  フラッシュオーバ ,  放電開始電圧 ,  最適化

分類 (1件)： 絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (4件)： ガス絶縁 ,  マグネトロンスパッタリング ,  誘電率 ,  エポキシ絶縁体