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J-GLOBAL ID：202002263718864386   整理番号：20A0826803

Si_0.5Ge_0.5ベースのソースを有する新しいコア-シェル無ドープGaA-ナノチューブTFETの設計と性能最適化【JST・京大機械翻訳】

Design and Performance Optimization of Novel Core-Shell Dopingless GAA-Nanotube TFET With Si_0.5Ge_0.5-Based Source

著者 (4件)： Apoorva (Department of Electronics and Communication Engineering, Amity University, Noida, India) ,  Kumar Naveen (Department of Electronics and Communication Engineering, Dr. B.R. Ambedkar National Institute of Technology, Jalandhar, India) ,  Amin S. Intekhab (Department of Electronics and Communication Engineering, Jamia Milia Islamia, New Delhi, India) ,  Anand Sunny (Department of Electronics and Communication Engineering, Amity University, Noida, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 3  ページ： 789-795  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二つのナノチューブ構造を提案した。すなわち,コア-シェル無ドープナノチューブトンネル電界効果トランジスタ(CS-DL-NT-TFET)とSi_0.5Ge_0.5ソースCS-DL-NT-TFETである。それらの設計における電荷プラズマ(CP)技術の応用は,ドーピングの除去である製造の利点を提供する。2つのナノチューブ構造の性能解析を,RFとそれらの相互コンダクタンス(g_m),伝達特性(I_D-V_GS),出力コンダクタンス(g_ds),出力特性(I_D-V_DS),カットオフ周波数(f_T),およびゲート容量(C_gg)などのアナログパラメータに基づいて実施した。さらに,二つのデバイスについて,高次トランスコンダクタンス(g_m3とg_m2),歪[二次高調波歪(HD2)],遮断点[三次入力遮断点(IIP3),二次電圧遮断点(VIP2)],相互変調歪[三次相互変調歪(IMD3)]のようなパラメータに基づいて線形性と信頼性を調べた。種々のパラメータの解析に基づいて,Si_0.5Ge_0.5ソースCS-DL-NT-TFETは,低エネルギーバンドギャップ,高移動度,および低トンネル質量のために,Si源対応物と比較して,改善された性能を達成することが観察された。提案したデバイスを最適化し,ソース/ドレイン領域内の誘導CPの均一性を維持した。最適化されたアーキテクチャは,より高いON電流で31.38mV/decの平均サブ閾値勾配を達成することにより,素子性能を向上させる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  バンドギャップ ,  *最適化 ,  プラズマ ,  *ナノチューブ ,  相互コンダクタンス ,  性能分析 ,  *コアシェル構造 ,  電荷 ,  計算機アーキテクチャ ,  電圧 ,  信頼性 ,  コンダクタンス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ソース ,  コア-シェル ,  ドープ ,  ナノチューブ ,  TFET ,  設計 ,  性能最適化