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J-GLOBAL ID:202002263751778872   整理番号:20A0827059

逐次作製プロセスを用いたSi MOSFET上のInGaAs光検出器のモノリシック3D集積【JST・京大機械翻訳】

Monolithic 3D Integration of InGaAs Photodetectors on Si MOSFETs Using Sequential Fabrication Process
著者 (7件):
資料名:
巻: 41  号:ページ: 433-436  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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作製したSOI-MOSFET上のInGaAs PDの逐次プロセスによるシリコンオンインシュレータ金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ(SOI-MOSFET)上へのInGaAs光検出器(PD)のモノリシック3D(M3D)集積を実証した。InGaAs PDとSOI MOSFETは,低温プロセスによる集積と逐次プロセスの後に,それらの本来の性能を示した。さらに,集積素子は,トランジスタ(Trs)とPDを接続することにより,直接注入と検出器当たりのソースフォロワ(SFD)のような基本的な読み出し回路動作を成功裏に実行した。InGaAs PD上に1550nmレーザを照射することにより,Trのオン/オフ状態に従って出力電圧の異なる挙動を明確に得た。これらの結果から,このモノリシック3D積分法は高分解能多色イメージングシステムに向けての実行可能な手法であると考えられる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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