文献

J-GLOBAL ID：202002263994705231   整理番号：20A2799310

第一原理計算によるバイベースハーフホイスラー合金の構造,電子,熱電および光学特性の広範な研究【JST・京大機械翻訳】

An extensive investigation of structural, electronic, thermoelectric and optical properties of bi-based half-Huesler alloys by first principles calculations

著者 (3件)： Dey Aditya (Department of Physics, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Bihar, India) ,  Sharma Ramesh (Dept. of Applied Science, Feroze Gandhi Institute of Engineering and Technology, Raebareli, Uttar Pradesh, India) ,  Dar Sajad Ahmad (Dept. of Physics, Govt. Degree College Nowshera, Rajouri, Jammu and Kashmir, India)
資料名： Materials Today Communications  (Materials Today Communications)
巻： 25  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3060A  ISSN： 2352-4928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半Huesler(HH)合金は,それらの魅力的な特性といくつかの分野における応用のため,研究の最新の話題である。いくつかのHH合金を研究し,本研究は3つのビスマス系HH合金,ZrRhBi,ZrIrBiおよびHfRhBiに基づき,ab-initio密度汎関数理論(DFT)計算を用いて,構造,電子,熱電(TE)および光学特性に関する広範囲な研究を提示した。これらの合金に関する以前の研究は,PBE-GGA汎関数(J)を用いてDFTを用いて行われた良好なTE応答を有する,それらの安定性と電子特性を報告した。Mater.Chem.A,5(13),2017。本研究では,異なる交換汎関数を用いて,これらの特性を調べ,nmBJ(新しい修正Becke-Johnson)ポテンシャルを用いて,これらの合金のバンドギャップとTE応答(高い性能指数,ZTと力率,PF)を,以前の報告と魅力的な光学特性と比較して,得た。著者らの結果は,ZrIrBiとHfRhBiが狭いギャップであり,ZrRhBiが中程度のギャップ半導体であることを示した。これらの合金の全ては室温で約0.7の優れたZT値を有した。光学特性は,これらの化合物が可視領域で低い吸光度,中程度の反射率,低い光学伝導率を有することを示した。電磁スペクトルと電子特性の領域に関するそれらの光学的性質の対照的な挙動は,それらがオプトエレクトロニクスと様々な光学デバイスで効果的に使用できることを示唆する。また,低温と高温の両方でのそれらの高いZT値は,種々のTE用途のためにそれらを使用する可能性を開く。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  *光学的性質 ,  *合金 ,  低温 ,  半導体 ,  ビスマス ,  汎関数 ,  スペクトル ,  オプトエレクトロニクス ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  吸光度
準シソーラス用語： 可視領域 ,  *第一原理計算 ,  *半ホイスラー合金 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度汎関数理論 ,  半Heusler合金 ,  電子および光学特性 ,  熱電特性

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属系の相平衡・状態図  (CB03012T) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 第一原理計算 ,  バイ ,  ハーフホイスラー合金 ,  電子 ,  光学特性 ,  研究