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J-GLOBAL ID：202002264016538959   整理番号：20A2516828

化学蒸着Sn_2Sb_2S_5薄膜の特性に及ぼす堆積時間とアニーリング処理の影響とSn_2Sb_2S_5系太陽電池の光起電力挙動【JST・京大機械翻訳】

Influence of deposition time and annealing treatments on the properties of chemically deposited Sn₂Sb₂S₅ thin films and photovoltaic behavior of Sn₂Sb₂S₅-based solar cells

著者 (3件)： Nwofe Patrick Akata (Department of Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 20641 Yamazaki, Noda 278-8510, Japan) ,  Nwofe Patrick Akata (Department of Industrial Physics, Faculty of Science, Ebonyi State University, P.M.B 051, Abakaliki, Nigeria) ,  Sugiyama Mutsumi (Department of Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 20641 Yamazaki, Noda 278-8510, Japan)
資料名： Zeitschrift fuer Naturforschung A  (Zeitschrift fuer Naturforschung A)
巻： 75  号： 10  ページ： 887-901  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0440A  ISSN： 0932-0784  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学浴堆積スズ硫化スズ(Sn_2Sb_2S_5)の薄膜を,堆積時間を1と3時間の間,そして堆積後熱処理を変えて調整した。膜をソーダ石灰ガラス(SLG)とモリブデンガラス(Mo-SLG)基板上にそれぞれ成長させた。膜厚は2時間までの堆積時間と共に増加し,その後減少した。X線回折による構造解析は,膜が単相であることを示した。これはX線光電子分光法(XPS)分析によって裏付けられた。エネルギー分散分光法の結果は,SLG基板のみの堆積時間と共に増加するアンチモン/硫黄(Sb/S)比とアンチモン/スズ(Sb/Sn)比を与えた。光学分光測定から抽出した光学定数は,光学吸収係数(α)>104cm-1,および1.30から1.48eVの範囲の値をもつ直接エネルギーバンドギャップを与えた。SLG基板上に成長した膜上で行ったHall効果測定は,膜が103~104Ωcmの範囲の電気抵抗率を有するp型電気伝導率であることを示した。Mo-SLG上に成長させた膜は,硫化カドミウム(CdS)窓パートナーを有する基板配置で薄膜ヘテロ接合太陽電池デバイスを作製する吸収体層として機能した。最良のデバイスは,20mA/cm2の短絡電流密度,0.012Vの開回路電圧および0.04%の太陽変換効率をもたらした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  吸収係数 ,  *光起電力 ,  *焼なまし ,  *太陽 ,  *太陽電池 ,  *薄膜 ,  硫化カドミウム ,  *化学蒸着 ,  *薄膜成長 ,  単相 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  硫化スズ ,  短絡電流密度 ,  ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 吸収層 ,  化学浴堆積 ,  堆積時間 ,  Sn_2Sb_2S_5 ,  太陽変換効率

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  電極過程  (CB07040U) ,  融解塩  (CB05050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学蒸着 ,  薄膜 ,  堆積 ,  アニーリング処理 ,  太陽電池 ,  光起電力 ,  挙動