文献

J-GLOBAL ID：202002264233505547   整理番号：20A2558634

光起電力応用のための層拡散処理InBi_2Se_4薄膜の作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Preparation and characterization of layer-diffusion processed InBi₂Se₄ thin films for photovoltaics application

著者 (10件)： Ali Nisar (Department of Physics, GPG Jahanzeb College Saidu Sharif Swat 19130, KPK, Pakistan) ,  Ali Nisar (Department of Physics, Faculty of Science, University Teknologi Malaysia, Johor, Malaysia) ,  Ahmed R. (Department of Physics, Faculty of Science, University Teknologi Malaysia, Johor, Malaysia) ,  Ahmed R. (Center for High Energy Physics, University of the Punjab, Quaid-e-Azam Campus, 54590, Lahore, Pakistan) ,  Hussain Arshad (Department of Physics, Faculty of Science, University Teknologi Malaysia, Johor, Malaysia) ,  Hussain Arshad (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Energy, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Fu Yong Qing (Faculty of Engineering & Environment, University of Northumbria, Newcastle upon Tyne, NE1 8ST, UK) ,  Ali Murad (Department of Physics, GPG Jahanzeb College Saidu Sharif Swat 19130, KPK, Pakistan) ,  Ul Haq Bakhtiar (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory, Department of Physics, King Khalid University, Saudi Arabia) ,  AlFaify S. (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory, Department of Physics, King Khalid University, Saudi Arabia)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 220  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,セレン化インジウムビスマス(InBi_2Se_4)薄膜の光電子特性を,光起電力応用のそれらの可能性のために研究した。InBi_2Se_4膜を,Bi_2S_3粉末とインジウム粒子を用いてガラス基板上に熱共蒸着法により調製した。堆積したままの膜を次に異なる温度でアニールしInBi_2Se_4薄膜に変換した。その結果,得られたInBi_2Se_4膜は,350°Cで焼なました膜に対して1.2eVの最適バンドギャップとして優れた光電子特性を有することが分かった。電流と電圧の現実化の特性評価結果に基づいて,堆積したままとアニールしたInBi_2Se_4薄膜は,電流とアニーリング温度の間に直線関係を示した。また,膜の粒径の増加とともに,電流が固定印加電圧で増加することも分かった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光起電力 ,  焼なまし ,  電圧 ,  電流 ,  *薄膜 ,  粉体 ,  インジウム ,  同時蒸着 ,  バンドギャップ ,  光電子
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  アニーリング温度 ,  ガラス基板 ,  セレン化インジウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InBi_2Se_4 ,  薄膜 ,  太陽光発電 ,  アニーリング ,  拡散

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光起電力 ,  応用 ,  層 ,  拡散 ,  薄膜 ,  作製 ,  特性評価