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J-GLOBAL ID：202002264245824582   整理番号：20A1558181

Cu欠乏金属前駆体を用いて調製した純硫化物黄銅鉱Cu(In,Ga)S_2の大開路電圧ブースティング【JST・京大機械翻訳】

Large open-circuit voltage boosting of pure sulfide chalcopyrite Cu(In,Ga)S₂ prepared using Cu-deficient metal precursors

著者 (5件)： Kim Shinho (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Nagai Takehiko (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Tampo Hitoshi (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Ishizuka Shogo (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Shibata Hajime (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 28  号： 8  ページ： 816-822  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池性能を改善するために,Cu欠乏条件下で純硫化物黄銅鉱,Cu(InGa)S_2(CIGS)を調製するのに必要な理由を見出すため,比較研究を行った。Cu欠乏条件下で成長したCIGSは,Cu過剰条件下で成長したものと比較して,大きな開回路電圧(V_OC)ブースティングを示した。このように,CIGSをCu過剰とCu欠乏金属前駆体(MP)から調製し,異なるV_OCの起源に関して特性化した。Cu過剰MPを用いて作製したCIGSは,バッファ/CIGS界面とバルクで大きな再結合を被り,V_OCの重大な限界をもたらした。他方,Cu欠損MPから調製したCIGSは,再結合の減少によりV_OCを大きく改善した。光ルミネセンス(PL)法を用いて欠陥解析を行い,Cu過剰MPを用いて作製したCIGSは強い深発光を示した。しかし,Cu欠乏MPから調製したCIGSは,深いレベル遷移のないPL発光特性を示した。これは,Cu過剰MPを用いて作製したCIGS中に多数の深い準位欠陥が存在し,これはデバイスの大きな再結合制限V_OCの理由であることを意味する。最後に,Cu過剰MPを用いて作製したCIGSの深い準位の理由も提示した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  再結合 ,  太陽電池 ,  発光 ,  光ルミネセンス ,  *銅 ,  *硫化物 ,  *黄銅鉱 ,  *前駆体 ,  キャラクタリゼーション ,  深い準位
準シソーラス用語： 発光特性 ,  ワイドバンドギャップ ,  *開回路電圧 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu欠乏金属前駆体 ,  純粋な硫化物Cu(InGa)S_2 ,  VOCブースティング ,  ワイドバンドギャップ黄銅鉱

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： Cu ,  欠乏 ,  前駆体 ,  調製 ,  硫化物 ,  黄銅鉱 ,  Ga ,  開路電圧 ,  ブースティング