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J-GLOBAL ID:202002264475865040   整理番号:20A2731243

結晶性CsPbI_3上の非晶質PbI_2被覆層間のI型ヘテロ界面【JST・京大機械翻訳】

A Type I Heterointerface between Amorphous PbI2 Overlayers on Crystalline CsPbI3
著者 (2件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 10328-10332  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5032A  ISSN: 2574-0962  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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鉛ハライドペロブスカイト分解から形成される絶縁副産物であるPbI_2は,光起電力応用におけるこれらの材料の実用化に問題をもたらすと考えられる。ここでは,CsPbI_3モデルペロブスカイト上の非晶質PbI_2被覆層の電子特性を調べた。分子動力学と密度汎関数理論の組み合わせを用いて,α-PbI_2がCsPbI_3バンド極値間の中間ギャップ状態を導入しないことを報告した。代わりに,I型ヘテロ界面を形成するバルクCsPbI_3格子のフロンティアバンドをブラケットする。この被覆層は,太陽デバイスに有害であるかもしれないが,他の二元半導体(例えば,より広いギャップPbSで被覆されるPbSeナノ結晶)に使用される戦略に対して,不均一ナノ結晶を形成するユニークな機会を提供した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
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太陽電池  ,  半導体結晶の電子構造  ,  無機化合物のルミネセンス  ,  塩  ,  その他の無機化合物の結晶構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
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