文献

J-GLOBAL ID：202002264505706832   整理番号：20A2587894

二次元Nb2SiTe4基化合物の安定性,電子構造および光学的性質の第一性原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of stability, electronic and optical properties of two-dimensional Nb2SiTe4-based materials

著者 (7件)： Luo Xiong (武漢大学物理科学与技術学院, 電子顕微鏡中心, 人工微結構教育部重点実験室和高等研究院, 武漢 430072) ,  Meng Weiwei (武漢大学物理科学与技術学院, 電子顕微鏡中心, 人工微結構教育部重点実験室和高等研究院, 武漢 430072) ,  Chen Guoxujia (武漢大学物理科学与技術学院, 電子顕微鏡中心, 人工微結構教育部重点実験室和高等研究院, 武漢 430072) ,  Guan Xiaoxi (武漢大学物理科学与技術学院, 電子顕微鏡中心, 人工微結構教育部重点実験室和高等研究院, 武漢 430072) ,  Jia Shuangfeng (武漢大学物理科学与技術学院, 電子顕微鏡中心, 人工微結構教育部重点実験室和高等研究院, 武漢 430072) ,  Zheng He (武漢大学物理科学与技術学院, 電子顕微鏡中心, 人工微結構教育部重点実験室和高等研究院, 武漢 430072;武漢大学蘇州研究院, 蘇州 215123;武漢大学深zhen研究院, 深zhen 518057) ,  Wang Jianbo (武漢大学物理科学与技術学院, 電子顕微鏡中心, 人工微結構教育部重点実験室和高等研究院, 武漢 430072)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 69  号： 19  ページ： 281-289  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 第一原理計算に基づいて,Nb2SiTe4ベース化合物(A2BX4:Nb2SiSe4,Nb2SnTe4およびTa2GeTe4)の3つの安定構造を決定し,電子構造,光学的性質,および応力工学の電子構造を研究した。計算結果により、上述の3種類の化合物がNb2SiTe4に似た狭いバンドギャップ値、強い光吸収性能及び顕著な光学異方性を有し、光電デバイスに応用できることが分かった。その格子定数範囲は6.04?≦a≦6.81?,7.74?≦b≦8.15?。Ta2GeTe4の格子パラメータはNb2SiTe4とほぼ同じであり、バンドギャップ値は0.15eV減少し、遠赤外光検出に応用できる。応力工学は,二重軸引張応力がA2BX4のバンドギャップ値を減少させることを示した。二軸圧縮応力を印加すると、A2BX4系の価電子帯頂軌道に反転(Nb2SiTe4、Nb2GeTe4とTa2GeTe4)が現れ、Bサイトカチオン占有状態d軌道が優勢にBサイトカチオン占有状態d軌道とX位アニオンフルp軌道が共同で主導する。バンドギャップ値の変化傾向が異常である。この価電子帯頂軌道の反転は有効に正孔の有効質量を低減でき、キャリアの遷移を促進し、デバイス性能の向上に役立つと予測した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光学的性質 ,  格子定数 ,  正孔 ,  *電子構造 ,  安定構造 ,  遠赤外線 ,  価電子バンド ,  *二次元 ,  引張応力 ,  有効質量 ,  二軸 ,  圧縮応力 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  d軌道 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 数理物理学  (BA03000W) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 安定性 ,  電子構造 ,  光学的性質 ,  原理 ,  研究