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J-GLOBAL ID：202002264580768938   整理番号：20A1002902

電子および正孔衝突イオン化を考慮したGaAs/AlGaAs階段アバランシェフォトダイオードの最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of GaAs/AlGaAs staircase avalanche photodiodes accounting for both electron and hole impact ionization

著者 (18件)： Pilotto A. (DPIA, University of Udine, 33100 Udine, Italy) ,  Nichetti C. (Elettra-Sincrotrone Trieste S.C.p.A, Area Science Park Basovizza, 34149 Trieste, Italy) ,  Nichetti C. (Department of Physics, University of Trieste, 34128 Trieste, Italy) ,  Palestri P. (DPIA, University of Udine, 33100 Udine, Italy) ,  Selmi L. (DIEF, University of Modena and Reggio Emilia, 44100 Modena, Italy) ,  Antonelli M. (Elettra-Sincrotrone Trieste S.C.p.A, Area Science Park Basovizza, 34149 Trieste, Italy) ,  Arfelli F. (Department of Physics, University of Trieste, 34128 Trieste, Italy) ,  Arfelli F. (Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, INFN Sezione di Trieste, Trieste 34100, Italy) ,  Biasiol G. (IOM CNR, Laboratorio TASC, Area Science Park Basovizza, 34149 Trieste, Italy) ,  Cautero G. (Elettra-Sincrotrone Trieste S.C.p.A, Area Science Park Basovizza, 34149 Trieste, Italy) ,  Cautero G. (Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, INFN Sezione di Trieste, Trieste 34100, Italy) ,  Driussi F. (DPIA, University of Udine, 33100 Udine, Italy) ,  Esseni D. (DPIA, University of Udine, 33100 Udine, Italy) ,  Menk R.H. (Elettra-Sincrotrone Trieste S.C.p.A, Area Science Park Basovizza, 34149 Trieste, Italy) ,  Menk R.H. (Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, INFN Sezione di Trieste, Trieste 34100, Italy) ,  Menk R.H. (Department of Medical Imaging, University of Saskatchewan, Saskatoon, SK S7N 5A2, Canada) ,  Steinhartova T. (Department of Physics, University of Trieste, 34128 Trieste, Italy) ,  Steinhartova T. (IOM CNR, Laboratorio TASC, Area Science Park Basovizza, 34149 Trieste, Italy)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 168  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子と正孔衝突イオン化のための最近開発された非局所履歴依存モデルを用いて,両キャリアを説明しながら,III-V化合物半導体のヘテロ接合を特徴とするアバランシェフォトダイオードの利得と過剰雑音因子を計算した。このモデルを,著者らのグループによる測定,ならびに文献から得られた雑音対利得データによって較正した。X線分光法応用のためのGaAs/AlGaAs伝導帯ステップの数に関連する雪崩シェフォトダイオード設計トレードオフを調べた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *最適化 ,  雑音 ,  *正孔 ,  *ヒ化ガリウム ,  伝導バンド ,  *衝突イオン化 ,  利得 ,  X線分光法 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *アバランシェフォトダイオード
準シソーラス用語： 過剰雑音 ,  III-V半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 階段アバランシェフォトダイオード ,  モデリング ,  非局所履歴依存衝突イオン化モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子 ,  正孔 ,  衝突イオン化 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  階段 ,  アバランシェフォトダイオード ,  最適化