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J-GLOBAL ID：202002264777510477   整理番号：20A0270857

InGaAs/InPフォトダイオードにおける少数キャリア拡散長のドーピングと温度依存性【JST・京大機械翻訳】

Doping and temperature dependence of minority carrier diffusion lengths in InGaAs/InP photodiodes

著者 (5件)： Walker A.W. (National Research Council of Canada,Ottawa,K1A 0R6) ,  Pitts O. J. (National Research Council of Canada,Ottawa,K1A 0R6) ,  Storey C. (National Research Council of Canada,Ottawa,K1A 0R6) ,  Waldron P. (National Research Council of Canada,Ottawa,K1A 0R6) ,  Flueraru C. (National Research Council of Canada,Ottawa,K1A 0R6)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： SENSORS  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接バンドギャップ半導体材料からなる光検出器と光起電力素子は,数μmの材料内で可視から赤外の波長を吸収する。このような材料における少数キャリア拡散長は,特定の応用のためのこれらの光電子デバイスの設計において重要である。InP上のInGaAsにおける少数の正孔を,非意図的にドープした(NID)から5E16cm-3までの範囲のドーピング濃度に対して0~100°Cの間で報告した。室温で,NID試料の81±8μmから5E16cm~3の34±1μmの範囲の値が得られた。これらの値は調べた温度範囲で一定となり,寿命と移動度がバランスすることを意味した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *拡散距離 ,  移動度 ,  赤外線 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *温度依存性 ,  *ドーピング ,  *フォトダイオード ,  波長 ,  光起電素子 ,  半導体材料 ,  *少数キャリア ,  *リン化インジウム ,  光検出器 ,  正孔
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  InP ,  フォトダイオード ,  少数キャリア ,  拡散長 ,  ドーピング ,  温度依存性