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J-GLOBAL ID:202002264778096852   整理番号:20A2123016

オプトエレクトロニックセンサ性能に対するITO膜中のスズ濃度の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Tin concentration in ITO films on Optoelectronic sensor performance
著者 (2件):
資料名:
巻: 872  号:ページ: 012168 (9pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5559A  ISSN: 1757-8981  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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光起電力応用を促進する機会を見るために,ゾルゲルアクリルアミド経路により,異なる濃度(5%,70%)を有する9試料を合成した。XRD研究から,全膜は,全ての膜に対して,バイクバイト構造をもつ単相を示した。EDXA研究は,全試料でSnO_2エンクロージャの存在を確認した。ITO膜の原子間力顕微鏡写真は,粒径がスズ濃度の増加と共に減少した。ホットプローブ測定は,その輸送特性,DSSCのオプトエレクトロニクス応用に対して,スズの最適濃度(10%)を補強した。本論文はDSSC性能に焦点を当てた。本研究では,ITO膜とそれらのガス検知特性を研究し,それらの結果を報告した。70%のスズ濃度を有するITOベースのH_2Sセンサーは,応答時間よりも高い回復時間で100°Cで最大の感度を示した。長時間,異なる濃度のスズ(450°C)を有するITO膜は元の状態に戻る。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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