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J-GLOBAL ID：202002265147245286   整理番号：20A0840297

GaAs上に成長させたp型InAsの移動度スペクトルで観測された局所歪誘起重正孔バンド分裂【JST・京大機械翻訳】

Locally-Strain-Induced Heavy-Hole-Band Splitting Observed in Mobility Spectrum of p-Type InAs Grown on GaAs

著者 (9件)： Wrobel Jaroslaw (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego Street, 00-908, Warsaw, Poland) ,  Umana-Membreno Gilberto A. (School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, The University of Western Australia, 35 Stirling Highway, Crawley, WA, 6009, Australia) ,  Boguski Jacek (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego Street, 00-908, Warsaw, Poland) ,  Sztenkiel Dariusz (Institute of Physics of Polish Academy of Science, Aleja Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Michalowski Pawel Piotr (Laboratory of Structural Research and Material Characterization, Lukasiewicz Research Network - Institute of Electronic Materials Technology, Wolczynska 133, 01-919, Warsaw, Poland) ,  Martyniuk Piotr (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego Street, 00-908, Warsaw, Poland) ,  Faraone Lorenzo (School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, The University of Western Australia, 35 Stirling Highway, Crawley, WA, 6009, Australia) ,  Wrobel Jerzy (Institute of Physics of Polish Academy of Science, Aleja Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland) ,  Rogalski Antoni (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego Street, 00-908, Warsaw, Poland)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 14  号： 4  ページ： e1900604  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板上に分子線エピタクシーにより成長させた高品質BeドープInAs層を,5~300Kの範囲と15Tの磁場までの磁気輸送測定と高分解能定量的移動度スペクトル解析(HR-QMSA)により調べた。結果は,55K以下で最も占有された正孔状チャネルの4チャネル伝導率と本質的分裂を示した。このような効果の起源は,局所的に歪誘起の中間層から生じると結論した。これは,直接観察が困難であるか,あるいは代替技術により不可能である。磁気輸送データ解析に基づいて,多層モデルを提案し,それを,nexナノシミュレーションに実装し,論証正当性の証明を与えた。これらの結果は,変性統計領域においてさえHR-QMSA技術の潜在的有用性を示している。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  界面 ,  *スペクトル ,  ベリリウム ,  *正孔 ,  多層 ,  データ解析 ,  *ヒ化インジウム ,  *移動度 ,  スペクトル解析 ,  MBE成長 ,  磁場 ,  チャネル ,  ドーピング ,  高分解能

著者キーワード (5件)： 重い正孔バンド分裂 ,  InAs ,  InAs-GaAs界面 ,  中間層 ,  定量的移動度スペクトル解析

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (10件)： GaAs ,  成長 ,  InAs ,  移動度 ,  スペクトル ,  観測 ,  局所歪 ,  誘起 ,  正孔 ,  バンド分裂