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J-GLOBAL ID:202002265276592756   整理番号:20A1026291

InGaN/GaN量子ディスク-In-GaNナノワイヤ配列における急速熱アニーリングの効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of rapid thermal annealing in InGaN/GaN quantum disk-in-GaN nanowire arrays
著者 (8件):
資料名:
巻: 222  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0731A  ISSN: 0022-2313  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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InGaN/GaN量子ディスク-インナノワイヤヘテロ構造アレイの構造的及び光学的性質に及ぼす急速熱アニーリングの影響を調べた。温度依存及び時間分解光ルミネセンス測定をX線光電子分光法により補完した。一般的に,アニーリングはInGaN量子ディスク領域における非放射再結合速度を増加させ,その結果,内部量子効率を低下させ,平均キャリア寿命を減少させることが観察された。これらは,ディスク領域における-Oおよび-OH結合に関連する表面状態密度の増加およびIn偏析による非放射再結合の可能な増強によるものである。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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無機化合物のルミネセンス  ,  塩基,金属酸化物 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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