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J-GLOBAL ID:202002265288446874   整理番号:20A0872926

ブリッジ脚におけるSiC MOSFETのクロストーク効果とボディダイオード損失低減のための受動共振レベルシフタ【JST・京大機械翻訳】

Passive Resonant Level Shifter for Suppression of Crosstalk Effect and Reduction of Body Diode Loss of SiC MOSFETs in Bridge Legs
著者 (5件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 7204-7225  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0211B  ISSN: 0885-8993  CODEN: ITPEE8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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スイッチング素子と回路実現における寄生素子の存在により,ブリッジ脚構成におけるクロストーク現象は避けられない。クロストークの効果を抑制し,低オフ状態のゲートソース電圧を供給し,SiCmosートのボディダイオードの順方向電圧降下を低減する受動共振レベルシフタを示した。回路は2つの部分で構成されている。最初のものは,静電容量ダイオード(RCD)レベルシフタで,静止した負のオフ状態のゲートソース電圧をコケに供給する。電圧レベルはゼロに近いように設計されるので,ボディダイオードの順方向電圧降下は低下する。第二は直列共振タンク回路である。それは,クロストークによって引き起こされる電圧パルスを打ち消すために短い電圧パルスを発生させる。次に,ゲート-ソース電圧を,コケの閾値電圧以下のレベルで維持することができた。提案したレベルシフタは,能動デバイスや付加的な供給を必要としない。それは容易に市販のゲートドライバに適用できる。1kWのHブリッジインバータにおける4つのSiCmosのための受動共振レベルシフタモジュールを構築し,評価した。RCDレベルシフタとの詳細な性能比較を与えた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電力変換器 

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