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J-GLOBAL ID：202002265561297704   整理番号：20A0869534

上部発光構造をもつ明るいCsPbI_3ペロブスカイト量子ドット発光ダイオードとジルコニウムアセチルアセトネート表面改質の適用により実現した低効率ロールオフ【JST・京大機械翻訳】

Bright CsPbI₃ Perovskite Quantum Dot Light-Emitting Diodes with Top-Emitting Structure and a Low Efficiency Roll-Off Realized by Applying Zirconium Acetylacetonate Surface Modification

著者 (11件)： Lu Min (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Guo Jie (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Sun Siqi (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Lu Po (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Wu Jinlei (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Wang Yu (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Kershaw Stephen V. (Department of Materials Science and Engineering, and Centre for Functional Photonics (CFP), City University of Hong Kong, Hong Kong SAR, China) ,  Yu William W. (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Yu William W. (Department of Chemistry and Physics, Louisiana State University, Louisiana, United States) ,  Rogach Andrey L. (Department of Materials Science and Engineering, and Centre for Functional Photonics (CFP), City University of Hong Kong, Hong Kong SAR, China) ,  Zhang Yu (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, China)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 20  号： 4  ページ： 2829-2836  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CsPbI_3量子ドット(QD)の合成における共前駆体として用いたジルコニウムアセチルアセトネートは,それらの光ルミネセンス量子効率を90%以上に増加させた。高い熱伝導率(高電流密度で発生するJoule熱をより良く消散させる)を有するSi基板上のトップ発光素子構造を設計し,底部電極と上部電極間の強い微小共振器共鳴を利用する光抽出効率を改善した。これらの改善の結果として,686nmのエレクトロルミネセンスをもつZr修飾CsPbI_3QDを用いた発光ダイオード(LED)は,108mAcm-2の電流密度で13.7%の外部量子効率(EQE)を示し,低効率ロールオフ(高電流密度500mAcm-2)と14725cd/m-2の高輝度を示し,繰り返し(高駆動電流密度でサイクルとオフ)するデバイスの安定性が大きく向上した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  共鳴 ,  *発光 ,  光ルミネセンス ,  *ジルコニウム ,  電流密度 ,  前駆体 ,  量子効率 ,  *量子ドット ,  微小共振器
準シソーラス用語： *ロールオフ ,  発光素子 ,  外部量子効率 ,  Joule熱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CsPbI_3ペロブスカイト量子ドット ,  表面改質 ,  ジルコニウムアセチルアセトネート ,  効率ロールオフ ,  トップ発光ダイオード

分類 (5件)： 貴金属触媒  (CB06122I) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ペロブスカイト量子ドット ,  発光ダイオード ,  ジルコニウム ,  アセチルアセトネート ,  表面改質 ,  ロールオフ