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J-GLOBAL ID:202002265572349566   整理番号:20A2552086

窒化けい素系フォトニック集積回路に関する最近の進歩のレビュー【JST・京大機械翻訳】

Review of Recent Progress on Silicon Nitride-Based Photonic Integrated Circuits
著者 (7件):
資料名:
巻:ページ: 195436-195446  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2422A  ISSN: 2169-3536  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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過去30年間にわたるフォトニクス産業で使用されるシリコンフォトニックデバイスは,大規模フォトニック集積回路の実現に役立っている。窒化ケイ素(Si_3N_4)は,低損失,高光電力耐性,および可視から赤外波長までの広いスペクトル動作バンドのようないくつかの利点を提供する別のCMOS互換プラットフォームである。最近,Si_3N_4導波路技術とシリコンフォトニクスおよびIII-V材料の組合せはオンチップ応用の新しい領域を開いた。分野における研究者は,オンチップガスセンシング,非線形光学信号処理,およびフォトニック集積回路に基づく無標識バイオセンサのようなその応用に主に焦点を合わせている。このレビュー論文では,受動から能動およびハイブリッドフォトニックデバイスにわたるデバイスによる様々な応用に対するSi_3N_4材料ベースプラットフォームについて議論する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
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