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J-GLOBAL ID：202002265610083958   整理番号：20A2120807

改善された抵抗スイッチングのための酸素空孔リザーバとしての水熱成長ZnOナノワイヤアレイ【JST・京大機械翻訳】

Hydrothermally grown ZnO nanowire array as an oxygen vacancies reservoir for improved resistive switching

著者 (10件)： Fra V (Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, c.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy) ,  Beccaria M (Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, c.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy) ,  Milano G (Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, c.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy) ,  Milano G (Center for Sustainable Future Technologies, Istituto Italiano di Tecnologia, c.so Trento 21, I-10129, Torino, Italy) ,  Guastella S (Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, c.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy) ,  Bianco S (Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, c.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy) ,  Porro S (Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, c.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy) ,  Laurenti M (Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, c.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy) ,  Stassi S (Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, c.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy) ,  Ricciardi C (Department of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, c.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 31  号： 37  ページ： 374001 (9pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己集合ナノワイヤ(NWs)とナノロッド(NR)に基づく抵抗スイッチング(RS)デバイスは,薄膜構造の従来のデバイスに対する魅力的な代替である。高い表面対体積比は,実際に表面効果を通してそれらの機能性を調節する可能性を提供する。しかし,NWsに基づくデバイスは,通常,動作電圧,耐久性および保持能力に関して低い抵抗スイッチング性能に悩まされる。本研究では,3V以下のSET/RESET電圧,1100サイクルより高い耐久性および105s以上の抵抗状態保持を特徴とする,安定なバイポーラ抵抗スイッチングを示す,水熱合成により成長させたZnO NWアレイの抵抗スイッチング挙動について報告する。これらのRS性能の根底にある物理的機構は,ZnO活性層中の酸素関連種によって支援された伝導経路の形成/破裂を含むナノイオン過程に帰することができる。報告した結果は,著者らの知る限り,耐久性と保持に関してZnO NWアレイで観察された最良の抵抗スイッチング性能を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 水熱合成 ,  電圧 ,  薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  耐久性 ,  薄膜成長 ,  活性層 ,  体積率 ,  自己集合 ,  *ナノワイヤ ,  ナノロッド
準シソーラス用語： ナノワイヤアレイ ,  機能性 ,  *抵抗スイッチング ,  *酸素空格子点 ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 抵抗スイッチング ,  酸素空孔 ,  リザーバ ,  水 ,  成長 ,  ZnOナノワイヤ ,  アレイ