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J-GLOBAL ID：202002265771296817   整理番号：20A0288373

サブ100nmトレンチアレイにおける選択成長エピタキシャルSi_1-xGe_xフィン層のファセット発展【JST・京大機械翻訳】

Facet evolution of selectively grown epitaxial Si_{1- x} Ge _x fin layers in sub-100 nm trench arrays

著者 (5件)： Jang Hyunchul (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Koo Sangmo (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Byeon Dae-Seop (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Choi Yongjoon (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Ko Dae-Hong (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 532  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40,65,および90nmのトレンチ幅を有する酸化物トレンチ配列において0.36~0.63の範囲のxを有するエピタキシャルSi_1_xGe_xフィン層を選択的に成長させた。Si_1-_xGe_x層の支配的なファセットはx=0.56で{111}から{113}に変化し,観察された範囲のGe含有量を持つ層に対して3つのタイプのファセットが見出された。ファセット進展とファセットの成長速度との関係を調べた。(001),(111),および(113)の方位を持つ3つの基板上に成長させたブランケットSi_1-_xGe_x層を用いて,ファセット発展の間の各ファセットの成長速度を比較した。ブランケット層に対して得られた結果は,0.36~0.63の範囲のGe含有量をもつSi_1-_xGe_xフィン層におけるファセット発展と一致することが分かった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 成長速度 ,  *ゲルマニウム ,  *選択成長 ,  酸化物 ,  *ファセット ,  ブランケット ,  *フィン ,  *エピタクシー ,  化学蒸着 ,  結晶形態
準シソーラス用語： トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1 結晶形態 ,  A1 基板 ,  A3 化学蒸着システム ,  A3 選択エピタクシー ,  B1 ゲルマニウムシリコン合金

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  トレンチ ,  アレイ ,  選択成長 ,  エピタキシャル ,  フィン ,  ファセット ,  発展