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J-GLOBAL ID：202002265833541228   整理番号：20A2542978

特殊撮像技術 3章 III-V-Si異種材料間Cu-Cu接続による高精細および可視-短赤外感度域を有するInGaAsイメージセンサ

High-definition Visible-SWIR InGaAs Image Sensor using Cu-Cu Bonding

著者 (1件)： 萬田周治 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
資料名： 映像情報メディア学会誌  (映像情報メディア)
巻： 74  号： 6  ページ： 942-945  発行年： 2020年11月01日 
JST資料番号： F0330A  ISSN： 1342-6907  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・波長域1000~2000nmのSWIR(Short-Wavelength Infrared)はSiの吸収限界よりも高波長領域に属することから,一般にInGaAsを光電変換層として使用。
・SWIRイメージングに対しては,SWIR領域における物質の吸収計数の違いを反映した物質識別や,空気中のダストやスモッグに対する良好な透過性を活用した遠方監視への応用等の産業応用へのニーズが増大。
・本稿では,最初にInGaAsセンサの概要を解説し,従来のInGaAsセンサが抱える根本的な課題を解説後,これら課題を完全に解決した新規InGaAsセンサを開発したので,それを詳細に紹介。
・その製造法,Cu-Cu接合,感度特性,暗電流特性,キャプチャ像の比較等を解説。

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  *光学的測定 ,  撮像 ,  赤外線カメラ ,  赤外線画像 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ケイ素 ,  吸収端 ,  光起電素子 ,  暗電流
準シソーラス用語： InGaAs ,  Si ,  吸収限界 ,  光電変換素子 ,  赤外撮像

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  光学的測定とその装置一般  (BD07010S)

引用文献 (16件)：

• 1)J. Bentel et al., International Solid-State Sensors(2007)
• 2)Y. Kagawa et al., EDTM(2019)
• 3)J. Jourdon et al., IEDM(2018)
• 4)Y. Kagawa et al., IEDM(2016)
• 5)S. Lhostis et al., ECTC(2016)

タイトルに関連する用語 (8件)： 撮像 ,  Si ,  異種材料 ,  Cu ,  赤外 ,  感度 ,  InGaAs ,  イメージセンサ