抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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窒化アルミニウムP(AlN)_21nanリボンドープと欠陥(AlN)_21Sheet,P(AlN)_21,(AlN)_20-C,(AlN)_19-B_2,D-P(AlN)_20,D-(AlN)_19-C,D-(AlN)_18-C_2,D-(AlN)_19-B,D-(AlN)_18-B_2,D-(AlN)_19-B_2,D-本研究では,P(AlN)_21,(AlN)_20-C,D-P(AlN)_20,D-(AlN)_19-CへのAsH_3の吸着を吸着エネルギー(E_ad)(-0)による弱い物理吸着であった。P(AL-N)_21,(C)原子ドープP(AL-N)_20シート,D-P(AL-N)_20およびD-(C,B)原子ドープP(AL-N)_19シートの中心環上のAsHの(E_ad)は,それぞれ(-0.484338eV),(-0.476175eV),(-0.45407eV),(-0.495222eV)および-0.481617eVであり,この場合,B原子ドープP(AL-N)_20シートは,B原子ドープP(AL-N)_20シートが,強い化学吸着であり,この場合,B原子ドープP(AL-N)_20シートは,(-0.484338eV),(-0.476175eV),(-0.454407eV),(-0.495222eV)および-0.481617eVであり,この場合,B原子ドープP(AL-N)_20シートは,このガスAsH_3に対する良好なセンサであり,この場合,B原子ドープP(AL-N)_20シートは,このガスAsH_3に対し,(-0.484338eV),(-0.495222eV)および-0.481617eVであり,これは,B原子ドープP(AL-N)_20シートが,この場合,このガスAsH_3に対し,良好なセンサであり,この場合,B原子ドープP(AL-N)_20シートは,このガスAsH_3に対する良好なセンサであり,その場合,B原子ドープP(AL-N)_20シートは,この場合,このガスからP(AL-N)_20の,この場合,触媒または活性化し,この場合,P(AL-N)_20が,この場合,P(AL-N)_20は,触媒または活性化し,その場合,P(AL-N)_20は,この場合,このガスからP(AlN)_21への電荷移動を意味する,という事を示唆していた,この場合,B原子ドープP(AL-N)_20シートは,触媒または活性化できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】