文献

J-GLOBAL ID：202002265975832762   整理番号：20A2549727

CdO単層電子特性の歪誘起改質【JST・京大機械翻訳】

Strain induced modification of CdO monolayer electronic properties

著者 (4件)： Lalmuanchhana (Department of Physics, Mizoram University, Tanhril, Aizawl-796004, Mizoram, India) ,  Tiwari R. C. (Department of Physics, Mizoram University, Tanhril, Aizawl-796004, Mizoram, India) ,  Rai Dibya Prakash (Physical Sciences Research Center (PSRC), Pachhunga University College, Aizawl-796001, India) ,  Lalhriatzuala (Physical Sciences Research Center (PSRC), Pachhunga University College, Aizawl-796001, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2265  号： 1  ページ： 030697-030697-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,CdO単分子層の2Dグラフェン様構造における歪誘起バンドギャップ変化を示すab initio計算を示した。密度汎関数理論(DFT)計算を,SIESTAに実装された擬ポテンシャルと数値ナノ軌道基底関数系を用いて行った。電子交換相関を局所密度近似(CA-LDA)内で扱った。KS軌道は,メッシュカットオフ250Ryを有する二重ζ分極(DZP)に基づいて拡大した。最初のBrillouinゾーンを,Monkhorstパック方式の中で8x8x1kメッシュを用いて統合した。最適化した格子定数は3.66□であり,これは報告されたデータと同程度であった。本研究で選択した圧縮歪限界内で,バンドギャップは直接残った。引張歪において,直接から間接バンドギャップへの遷移が5%で観察され,結合長がさらに引き伸ばされたとき,金属様挙動が14%で観察され,それを超えると伝導バンド極小がFermi準位以下に低下する。電子,重い正孔および光正孔の有効質量の変化の性質は,バンド線が放物面であるガンマ点に近いエネルギーバンドから計算される。電子と光正孔有効質量は,著者らの計算の範囲でほとんど一定のままであるが,重い正孔有効質量は,圧縮歪で著しく減少し,引張歪では,緩和格子でその値からかなり増加する。本研究の理論的予測は,ナノ電気機械システム(NEMS)とナノオプトメカニカルシステム(NOMS)デバイスにおけるCdO単分子層の作製のための貴重な情報を提供するであろう。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子定数 ,  正孔 ,  単分子層 ,  Fermi準位 ,  伝導バンド ,  二次元 ,  *有効質量 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  グラフェン
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  局所密度近似 ,  第一原理計算 ,  引張歪 ,  重い正孔 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： CdO ,  単層 ,  電子 ,  歪 ,  誘起 ,  改質