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J-GLOBAL ID：202002266011675380   整理番号：20A0978547

RFICベース通信システムのためのナノスケールSOI MOSFETのアナログおよび無線周波数性能【JST・京大機械翻訳】

Analog and radio-frequency performance of nanoscale SOI MOSFET for RFIC based communication systems

著者 (3件)： Srivastava Nilesh Anand (PARAM Lab, Electronics and Communication Engineering Department, Motilal Nehru National Institute of Technology Allahabad, 211004, India) ,  Priya Anjali (PARAM Lab, Electronics and Communication Engineering Department, Motilal Nehru National Institute of Technology Allahabad, 211004, India) ,  Mishra Ram Awadh (PARAM Lab, Electronics and Communication Engineering Department, Motilal Nehru National Institute of Technology Allahabad, 211004, India)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 98  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全空乏化(FD)シリコン・オン・インシュレータ(FD SOI)MOS構造は,FinFETのような他のMOS構造と比較して,様々な短次元効果にわたるその免疫と設計におけるより少ない複雑さのために,注目すべき注目を集めている。本研究では,低電力アナログ/RF応用の研究のために,二重金属絶縁ゲート(DMIG)技術に基づくFD SOI MOSFETを解析した。提案したヘテロゲート誘電体ベースのDMIGソースエンジニアリング(HGD-DMIG-SE)FD SOI MOSFETは,同じ技術ノードにおける利用可能なデバイスと比較して,より高い利得を可能にし,広い範囲の遮断周波数で容量効果を低下させるより高い相互コンダクタンスを提供することが分かった。次に,研究したMOSFETの性能を,より高い周波数での素子挙動を調べるために,アドミッタンスYパラメータに基づいて解析した。さらに,提案したHGD-DMIG-SE FD SOI MOSFETを用いて,電流源CMOSインバータ増幅器を初めて設計した。これらすべての研究はATLAS TCADシミュレータを用いて行った。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 増幅器 ,  シミュレータ ,  *MOSFET ,  重金属 ,  *通信方式 ,  利得 ,  MOS構造 ,  相互コンダクタンス ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： アドミタンス ,  FinFET ,  *ナノスケール ,  電流源 ,  *無線周波数 ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： アナログ/RF ,  FD ,  DMIG ,  FinFET ,  RFIC ,  SOI

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： RFIC ,  通信システム ,  ナノスケール ,  SOI ,  MOSFET ,  アナログ ,  無線周波数