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J-GLOBAL ID：202002266098316757   整理番号：20A1004380

光触媒水素発生のための望ましいバンドギャップと超高キャリア移動度を持つ二次元六リン酸塩BiMP_6(M=Al,Ga,In)【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional hexaphosphate BiMP₆ (M = Al, Ga, In) with desirable band gaps and ultrahigh carrier mobility for photocatalytic hydrogen evolution

著者 (4件)： Liu Hong-Yao (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, China) ,  Yang Chuan-Lu (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, China) ,  Wang Mei-Shan (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, China) ,  Ma Xiao-Guang (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 517  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BIMP_6(M=Al,Ga,In)の二次元(2D)構造を予測し,動的,熱的およびエネルギー安定性を確認した。電子特性,歪工学,および移動度をHSE06によって研究し,一方,吸収をHSE06とGW+BSEの両方で決定した。結果は,バンドギャップBIMP_6がM原子番号の増加とともに減少することを示した。従って,BIALP_6とBiGaP_6のバンド端は,水の酸化還元電位を横切って,水素を生成する水分解反応の要求を満たすことができる。さらに,バンド端部は,歪の下で変化することができたが,しかし,二軸歪があまりに大きくない間,まだ水分解反応の条件に適合した。全てのBIMP_6単分子層の吸収は可視光領域で明らかであり,歪により著しく増強された。加えて,BIMP_6単分子層のキャリア移動度は約10~5cm~2V~-1sであり,文献中の報告された2D材料の最高のものに近く,光触媒水分解反応と光電子応用の利点である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  *キャリア移動度 ,  *水素 ,  酸化還元電位 ,  単分子層 ,  分解反応 ,  *リン酸塩 ,  *二次元 ,  *光触媒 ,  *バンドギャップ ,  光電子
準シソーラス用語： 可視領域 ,  水分解 ,  二軸ひずみ ,  バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 単一層 ,  光触媒水分解 ,  吸収 ,  モビリティ ,  歪工学

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光触媒 ,  水素発生 ,  バンドギャップ ,  キャリア移動度 ,  リン酸塩 ,  Ga