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J-GLOBAL ID：202002266149049761   整理番号：20A1001866

alsbの無接着Bridgman成長【JST・京大機械翻訳】

Adhesion-free Bridgman growth of AlSb

著者 (8件)： Yin Ziang (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Yin Ziang (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, China) ,  Jie Wanqi (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Jie Wanqi (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, China) ,  Zhang Xianggang (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Zhang Xianggang (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, China) ,  Wang Tao (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Wang Tao (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, Shaanxi 710072, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 540  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重キャリア化合物半導体としてのAlSb結晶は,高純度GeおよびCdZnTe検出器と比較して,室温検出器に対して大きな潜在的応用を有する。しかし,AlSbの単結晶成長はAlの高い反応性を被り,結晶のるつぼ壁への強い接着を引き起こす。本研究では,石英るつぼに密封したpBNるつぼを用いてその場合成法を開発した。一方,AlとSbの反応は,固相反応と液体反応の2段階で融点の下で行われた。急速な方向性凝固と再融合のサイクルを均質化のために実行した。垂直Bridgman法から5×5mm2の大きな結晶粒サイズを持つAlSbのバルク結晶を得た。XRDとEDS試験の結果は,49.7:50.3(Al:Sb)のほぼ化学量論的原子比をもつ単一閃亜鉛鉱構造相を示した。AlNは,通常の過熱合成を伴う結晶中のAlSb/BN界面の間で観察された。付着機構は,AlNの生成後のPBNるつぼによる接着エネルギーの増加に起因した。Alの化学反応性はAlSbのBridgman成長中に完全に抑制された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  界面 ,  化合物半導体 ,  固相反応 ,  *接着 ,  付着 ,  アルミニウム ,  アンチモン ,  ゲルマニウム ,  融点 ,  化学量論 ,  坩堝 ,  窒化アルミニウム ,  結晶粒径
準シソーラス用語： その場合成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A2 接着フリー ,  A2 Bridgman技術 ,  B1 ,  B2 半導体III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (1件)： 成長