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J-GLOBAL ID：202002266191714506   整理番号：20A1936809

Si含有トポロジカルDirac半金属[数式:原文を参照]の電子構造【JST・京大機械翻訳】

Electronic structure of the Si-containing topological Dirac semimetal [Formula : see text]

著者 (35件)： Deng Tao (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics (CENSE), State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Deng Tao (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Deng Tao (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Chen Cheng (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Chen Cheng (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Chen Cheng (ShanghaiTech Laboratory for Topological Physics, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Su Hao (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  He Junyi (Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Liang Aiji (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Liang Aiji (ShanghaiTech Laboratory for Topological Physics, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Cui Shengtao (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Yang Haifeng (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Wang Chengwei (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics (CENSE), State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Wang Chengwei (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Wang Chengwei (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Huang Kui (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Jozwiak Chris (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Bostwick Aaron (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Rotenberg Eli (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Lu Donghui (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Lu Donghui (Stanford Synchrotron Radiation Lightsource, SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, California 94025, USA) ,  Hashimoto Makoto (Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA) ,  Hashimoto Makoto (Stanford Synchrotron Radiation Lightsource, SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, California 94025, USA) ,  Yang Lexian (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Yang Lexian (State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Physics, Department of Physics and Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Liu Zhi (CAS Center for Excellence in Superconducting Electronics (CENSE), State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, People’s Republic of China) ,  Liu Zhi (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Guo Yanfeng (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Xu Gang (Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Liu Zhongkai (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Liu Zhongkai (ShanghaiTech Laboratory for Topological Physics, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Chen Yulin (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, People’s Republic of China) ,  Chen Yulin (ShanghaiTech Laboratory for Topological Physics, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China) ,  Chen Yulin (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Chen Yulin (Department of Physics, University of Oxford, Oxford OX1 3PU, United Kingdom)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 102  号： 4  ページ： 045106  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のトポロジー絶縁体と半金属が理論的に予測され,実験的に観測されたトポロジー量子材料の発見にアップサージがあった。しかし,それらのほとんどは,エレクトロニクス産業で最も広く用いられている元素であるシリコンを含む。最近,三元化合物[数式:原文を参照]がトポロジーDirac半金属であると予測され,強く傾斜した円錐バンド分散を有するLorentz-対称性-破れ準粒子をホストしている。本研究では,高分解能角度分解光電子放出分光法を用いて,[数式:原文を参照]の包括的な電子構造を調べた。トポロジーDirac交差の対を[数式:原文を参照]方向に沿って観察し,ab initio計算と良く一致し,化合物のトポロジーDirac半金属の性質を確認した。本研究は,トポロジー量子状態を有する低コスト,非毒性電子デバイスの実現に大きな応用の可能性を持つSi含有化合物上のトポロジー材料ファミリーを拡大した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  光電子放出 ,  準粒子 ,  対称性 ,  *電子構造 ,  *ケイ素 ,  電子技術 ,  *半金属 ,  高分解能 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 量子状態 ,  電子素子 ,  第一原理計算 ,  バンド分散 ,  *Dirac半金属 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  電子構造一般  (BM02010K) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Dirac半金属 ,  数式 ,  参照 ,  電子構造