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J-GLOBAL ID：202002266250747172   整理番号：20A1589230

非晶質AlBN誘電体薄膜の調製及び関連特性研究【JST・京大機械翻訳】

Preparation and relevant properties of amorphous AlBN dielectric films

著者 (6件)： Liu Fengfeng (中国科学技術大学納米技術与納米倣生学院,合肥230026;中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所納米器件与応用重点実験室,江蘇蘇州215123) ,  Li Yuxiong (中国科学技術大学納米技術与納米倣生学院,合肥230026;中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所納米器件与応用重点実験室,江蘇蘇州215123) ,  Sui Zhanpeng (中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所納米器件与応用重点実験室,江蘇蘇州,215123) ,  Cai Yong (中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所納米器件与応用重点実験室,江蘇蘇州,215123) ,  Zhang Yonghong (中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所納米真空互聯実験站,江蘇蘇州,215123) ,  Jiang Chunping (中国科学院蘇州納米技術与納米倣生研究所納米器件与応用重点実験室,江蘇蘇州,215123)
資料名： Cailiao Gongcheng  (Cailiao Gongcheng)
巻： 48  号： 6  ページ： 112-117  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2125A  ISSN： 1001-4381  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着(PLD)技術を用いて、GaN(002)上にアモルファスAlBN誘電体薄膜を堆積した。X線回折(XRD),透過型電子顕微鏡(TEM)およびX線光電子分光法(XPS)を用いて,それぞれ,薄膜の結晶構造および組成を特徴づけた。導電性原子間力顕微鏡(CAFM)およびI-V試験を用いて,種々の厚さの薄膜の電気的性質を測定した。結果は,異なる厚さのAlBN誘電体薄膜が非晶質であり,B含有量が約6.7%(原子分率)であることを示した。厚さ3nmと18nmのAlBN誘電体薄膜の表面粗さ(Rq)はそれぞれ0.209nmと0.116nmで、薄膜表面は平坦で均一で、18nm薄膜に±10Vの電圧を印加すると、明らかな漏れ電流が現れなかった。しかし、金属-誘電体-金属(MIM)構造では、18nm薄膜構造に大きな漏れ電流が現れ、漏れ電流密度は-2Vで約-2×10-4A/cm2であった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶構造 ,  電圧 ,  *薄膜 ,  *誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  電気的性質 ,  *非晶質 ,  漏れ電流 ,  窒化ガリウム ,  X線光電子分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 漏れ電流密度 ,  導電性原子間力顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質 ,  誘電体薄膜 ,  調製 ,  研究