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J-GLOBAL ID:202002266396383754   整理番号:20A2549377

局所密度近似におけるGaPの体積弾性率と凝集エネルギーの研究【JST・京大機械翻訳】

An investigation of bulk modulus and cohesive energy of GaP in the local density approximation
著者 (5件):
資料名:
巻: 2265  号:ページ: 030347-030347-4  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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閃亜鉛鉱型構造を有する重要な立方晶III-V半導体であるGallium Phosphide(GaP)の体積弾性率と凝集エネルギーの研究を擬ポテンシャル密度汎関数理論(DFT)を用いて行った。格子定数a_0,体積弾性率B_0および凝集エネルギーE_cohを計算した。GaPに対して計算した体積弾性率は,GaAsと比較して18%の増加を示した。凝集エネルギーの観察された結果は,同じ種類の他の半導体と中程度の精度にあることが分かった。ノルム保存Troullier-Martin型擬似ポテンシャルを持つ局所密度近似(LDA)法を結晶ポテンシャルに用いた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体結晶の電子構造  ,  その他の無機化合物の結晶構造  ,  固体の機械的性質一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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