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J-GLOBAL ID：202002266674813459   整理番号：20A2553512

従来型ハウジング型パワーモジュールにおけるGaN HEMTの適用【JST・京大機械翻訳】

Applying GaN HEMTs in Conventional Housing-Type Power Modules

著者 (2件)： Kou Lei (GaN Systems Inc,Ottawa,Canada) ,  Lu Juncheng (GaN Systems Inc,Ottawa,Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECCE  ページ： 4006-4011  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接結合銅(DBC)ベースの従来のハウジング型モジュールは,その優れた熱性能,低コスト,およびアベイラビリティと成熟度のため,高出力GaN HEMT応用のための有望なパッケージである。しかし,この技術の基板と高プロファイルハウジングに関する従来の単層電流伝導経路は,GaN HEMTのスイッチング性能を損なう寄生インダクタンスの低減を制限する。本論文では,従来の住宅型パッケージにGaNを用いるときの寄生を低減する技術について述べた。この従来の包装の迷走インダクタンスを最小化する異なるアプローチをFEMシミュレーションと実験によって評価した。新しい住宅設計を提案し,プロトタイプ化した。コストプレミアムなしで,信頼でき効率的なスイッチング遷移を実現した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インダクタンス ,  スイッチング ,  電流 ,  アベイラビリティ ,  熱特性 ,  *窒化ガリウム ,  接続品質 ,  単一層 ,  熟度 ,  プロトタイプ
準シソーラス用語： 寄生インダクタンス ,  *パワーモジュール ,  高出力 ,  *GaN HEMT ,  FEMシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワーモジュール ,  GaN ,  HEMT