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J-GLOBAL ID：202002266785206119   整理番号：20A0420350

転位関連ルミネセンスを持つ自己注入シリコンに基づく効率的発光源に向けて【JST・京大機械翻訳】

Towards an efficient light-emitting source based on self-implanted silicon with dislocation-related luminescence

著者 (6件)： Korolev D S (Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow region, 142432, Russia) ,  Nikolskaya A A (Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow region, 142432, Russia) ,  Tereshchenko A N (Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow region, 142432, Russia) ,  Mikhaylov A N (Lobachevsky University, 23/3 Gagarin prospect, Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Belov A I (Lobachevsky University, 23/3 Gagarin prospect, Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Tetelbaum D I (Lobachevsky University, 23/3 Gagarin prospect, Nizhny Novgorod, 603950, Russia)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1410  号： 1  ページ： 012152 (4pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン中の転位関連ルミネセンス中心のイオン合成の規則性を調べた。ホウ素イオンによる付加的照射条件とその後のアニーリング条件を変化させることにより,ルミネセンス強度の増加と高温側への温度依存性の最大シフトを得た。最高使用量のホウ素イオン(3つの10~17cm-2)と830°Cでの追加熱処理に対して,室温で測定可能なルミネセンスを得ることができることを初めて見出した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 自己投与 ,  *ルミネセンス ,  規則度 ,  高温 ,  *ケイ素 ,  *光源 ,  発光中心 ,  イオン ,  熱処理 ,  温度依存性

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 転位 ,  ルミネセンス ,  自己注入 ,  シリコン ,  発光源