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J-GLOBAL ID：202002266804886928   整理番号：20A0427252

高c面配向Mn_3Sn薄膜の作製と評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and evaluation of highly c-plane oriented Mn₃Sn thin films

著者 (6件)： Ikeda Tomoki (Department of Applied Physics, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Tsunoda Masakiyo (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Oogane Mikihiko (Department of Applied Physics, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Oh Seungjun (Institute for Super Materials, ULVAC, Inc., Tsukuba 300-2635, Japan) ,  Morita Tadashi (Institute for Super Materials, ULVAC, Inc., Tsukuba 300-2635, Japan) ,  Ando Yasuo (Department of Applied Physics, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 015310-015310-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の組成(x=84,80,76,および74)のMn_xSn_100-x薄膜を,室温で高周波マグネトロンスパッタリングによりMgO(111)基板上に作製し,それらの特性を評価した。試料は400°Cまたは真空中での熱アニーリング後にMn_3Snに結晶化した。Mn_80Sn_20膜は面外XRDプロファイルにおいて(0001)ファミリーのピークのみを示したが,他の膜はさらに他の回折ピークを示し,それらの多結晶構造を示した。断面透過型電子顕微鏡により,x=80試料において高度にc面配向した単一相Mn_3Sn薄膜の作製に成功したことを確認した。試料は薄膜面に弱い強磁性成分を有し,その大きさはバルクMn_3Snのそれと同程度であった。一方,面外磁化曲線は±5T以内で線形応答を示した。この磁気異方性はバルクMn_3Snと同じである。[0110]([0001])軸に沿った電流(磁場)で測定したHall曲線は無視できるほど小さい負の異常Hall効果(AHE)を示した。この応答はバルクMn_3Snと同じであった。従って,薄膜形のMn_3Snの磁気特性とAHEの異方性はバルクのそれらと同じであると結論した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  多結晶 ,  酸化マグネシウム ,  異常Hall効果 ,  結晶化 ,  磁場 ,  磁気異方性 ,  電流 ,  X線回折 ,  弱い強磁性 ,  磁気的性質 ,  回折 ,  異方性 ,  単相
準シソーラス用語： 磁化曲線 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 配向 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価