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J-GLOBAL ID：202002266897826738   整理番号：20A0333138

純粋および窒素ドープグラフェン上の大気吸着:ドーピング依存性,空間選択性【JST・京大機械翻訳】

Atmospheric adsorption on pristine and nitrogen-doped graphene: doping-dependent, spatially selective

著者 (11件)： Kolesov Egor A (Faculty of Physics, Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, Belarus) ,  Tivanov Mikhail S (Faculty of Physics, Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, Belarus) ,  Korolik Olga V (Faculty of Physics, Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, Belarus) ,  Kataev Elmar Yu (Chair of Physical Chemistry II, Friedrich-Alexander-University of Erlangen-Nuernberg, Egerlandstrasse, 3, 91052, Erlangen, Germany) ,  Xiao Fu (Department of Physics, Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Nano Information Technology Academy, Dongguk University, 3-26 Pildong, Junggu, 100-715, Seoul, Republic of Korea) ,  Kapitanova Olesya O (Department of Chemistry, Moscow State University, Leninskie Gory, 1, b.3, 119991, Moscow, Russia) ,  Kapitanova Olesya O (Moscow Institute of Physics and Technology, 9 Institutskiy per., Dolgoprudny, Moscow Region, 141701, Russia) ,  Cho Hak Dong (Department of Physics, Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Nano Information Technology Academy, Dongguk University, 3-26 Pildong, Junggu, 100-715, Seoul, Republic of Korea) ,  Kang Tae Won (Department of Physics, Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Nano Information Technology Academy, Dongguk University, 3-26 Pildong, Junggu, 100-715, Seoul, Republic of Korea) ,  Panin Gennady N (Department of Physics, Quantum-Functional Semiconductor Research Center, Nano Information Technology Academy, Dongguk University, 3-26 Pildong, Junggu, 100-715, Seoul, Republic of Korea) ,  Panin Gennady N (Institute for Microelectronics Technology and High Purity Materials, RAS, 142432 Chernogolovka, Moscow district, Russia)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 4  ページ： 045302 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ramanおよび光電子分光法を用いて,SiO_2/Siによって支持された元のおよび窒素pドープグラフェン上の大気吸着を調べた。真空中でのレーザアニーリングは,試料表面からの吸着物除去による正孔密度の減少に対応して,Ramanスペクトルパラメータの顕著な変化をもたらした。シフトは初期窒素ドーピングの程度と逆相関し,従って,同じ符号を持つ高密度の電荷キャリアを持つグラフェン上ではp型吸着ドーピングが少なくなることを見出した。大気吸着ドーピングの不在に必要な正孔ドーピング量はp_NOad=(3.87±0.31)×10~13cm-2(ピリジン様窒素の~2.3%)であることが分かったが,完全に吸着孔ドーピングを補償するのに必要な電子ドーピングはn_EQUIL=(0.46±0.12)×10~13cm-2(黒鉛窒素の~0.2%)であった。元のグラフェン上への大気吸着が空間電荷キャリア不均一性を増加させることを示した。対照的に,窒素ドープグラフェン上への吸着は空間的に選択的な性質を示し,電荷キャリアの不均一性を減少させた。本研究は,グラフェンベースのナノ電子デバイスを設計するときに,これらの特性を考慮するだけでなく,特定の吸着特性を必要とするグラフェン応用に有用である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子分光法 ,  *グラフェン ,  グラファイト ,  Ramanスペクトル ,  不均一性 ,  *吸着 ,  レーザアニーリング ,  *ドーピング ,  空間電荷
準シソーラス用語： 電子ドーピング ,  正孔ドーピング ,  電荷キャリア ,  正孔密度 ,  吸着質 ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素ドープ ,  グラフェン ,  大気 ,  吸着 ,  ドーピング ,  依存性 ,  選択性