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J-GLOBAL ID：202002266940505984   整理番号：20A1333960

模擬e-廃棄物からの金の回収による金@中空ポリアニリンナノスフェアのその場調製と特異な電気的挙動

In Situ Preparation and Unique Electrical Behaviors of Gold@Hollow Polyaniline Nanospheres through Recovery of Gold from Simulated e-Waste

著者 (5件)： Tian Xiangyu (Key laboratory for Advanced Materials, Institute of Applied Chemistry, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology) ,  Zhang Bin (Key laboratory for Advanced Materials, Institute of Applied Chemistry, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology) ,  Hou Jie (Key laboratory for Advanced Materials, Institute of Applied Chemistry, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology) ,  Gu Minchao (Key laboratory for Advanced Materials, Institute of Applied Chemistry, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology) ,  Chen Yu (Key laboratory for Advanced Materials, Institute of Applied Chemistry, School of Chemistry and Molecular Engineering, East China University of Science and Technology)
資料名： Bulletin of the Chemical Society of Japan (Web)  (Bulletin of the Chemical Society of Japan (Web))
巻： 93  号： 3  ページ： 373-378(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U1703A  ISSN： 1348-0634  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 資源不足と増大する需要の間のジレンマを解決する最も効果的な方法の1つは,e-廃棄物(電子デバイスとその成分)に由来する貴金属(特にAuとAg)の回収と再利用のための費用対効果の高い方法を開発することであり,これはおそらく,機能と規模の経済を組み合わせる環境に優しい方法論における突破口によって推進される可能性が最も高いであろう。ここでは,中空ポリアニリンナノスフェア(P(VAn-g-PANI))を用いて,模擬e-廃棄物からの金の回収のための容易で新規な方法を記述するが,そこで使用したPANIとその誘導体は金属塩からAu³⁺をAu⁰に還元するだけでなく,重合体ナノスフェア担持Auナノ粒子(Au@P(VAn-g-PANI))の達成物を安定化する。Au@P(VAn-g-PANI)を直接用いて,Al/[Au@P(VAn-g-PANI)+PVA]/ITOの配置の電子デバイスを作製し,そこではAu@P(VAn-g-PANI)を電気絶縁マトリックスとしてのポリ(ビニルアルコール)(PVA)に均一に統合した。P(VAn-g-PANI)中のAu/Nモル比が1:10に達すると,デバイスは電気的に消去と再プログラム化が可能で,典型的な不揮発性の書換え可能なメモリ効果を示し,オン/オフ電流比が10⁵を超え,ターンオン電圧が-1.85V,ターンオフ電圧が2.90Vであった。Au/Nモル比が1:1の場合,対応するデバイスは伝導体挙動を示した。本研究により,e-廃棄物からその場で金をリサイクルし,重合体ナノスフェア担持Auナノ粒子を用いて電子デバイスを作製する両方ともに可能な方法が開ける。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電子部品 ,  固形廃棄物 ,  *金 ,  資源回収 ,  リサイクル ,  *ポリアニリン ,  ナノ構造 ,  ナノ粒子 ,  中空体 ,  ゾル-ゲル法 ,  ビニル化合物 ,  芳香族炭化水素 ,  グラフト共重合体 ,  金属イオン ,  金化合物 ,  還元 ,  二酸化ケイ素 ,  架橋重合 ,  酸化重合 ,  ナノ複合材料 ,  ポリビニルアルコール ,  記憶効果 ,  固体素子 ,  *不揮発性メモリ ,  有機ケイ素化合物 ,  カルボン酸エステル ,  芳香族アミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： ジビニルベンゼン ,  ナノスフェア ,  *書き換え可能メモリ ,  電子デバイス ,  電子廃棄物

著者キーワード (3件)： 金回収 ,  中空ポリアニリンナノスフェア ,  書き換え可能なメモリデバイス

分類 (3件)： 資源回収利用  (SC05060V) ,  物理的性質一般  (YH02021U) ,  記憶装置  (JC04060F)

物質索引 (4件)： 3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン ,  4-ビニルアニリン ,  アニリン ,  テトラエトキシシラン

引用文献 (32件)：

• 1) A. Aspuru-Guzik, M. H. Baik, S. Balasubramanian, R. Banerjee, S. Bart, N. Borduas-Dedekind, S. Chang, P. Chen, C. Corminboeuf, F. X. Coudert, L. Cronin, C. Crudden, T. Cuk, A. G. Doyle, C. Fan, X. Feng, D. Freedman, S. Furukawa, S. Ghosh, F. Glorius, M. Jeffries-El, N. Katsonis, A. Li, S. S. Linse, S. Marchesan, N. Maulide, A. Milo, A. R. H. Narayan, P. Naumov, C. Nevado, T. Nyokong, R. Palacin, M. Reid, C. Robinson, G. Robinson, R. Sarpong, C. Schindler, G. S. Schlau-Cohen, T. W. Schmidt, R. Sessoli, Y. Shao-Horn, H. Sleiman, J. Sutherland, A. Taylor, A. Tezcan, M. Tortosa, A. Walsh, A. J. B. Watson, B. M. Weckhuysen, E. Weiss, D. Wilson, V. W. Yam, X. Yang, J. Y. Ying, T. Yoon, S. L. You, A. J. G. Zarbin, H. Zhang, Nat. Chem. 2019, 11, 286.
• 2) Q. Zhang, N. Wang, L. Zhao, T. Xu, Y. Cheng, ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 1907.
• 3) B. Mu, Q. Wang, A. Wang, J. Mater. Chem. A 2013, 1, 7083.
• 4) H. Gatemala, S. Ekgasit, K. Wongravee, Chemosphere 2017, 178, 249.
• 5) J. P. Chen, L. Lim, Chemosphere 2005, 60, 1384.

タイトルに関連する用語 (5件)： 廃棄物 ,  金 ,  中空 ,  調製 ,  挙動