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J-GLOBAL ID:202002266989270799   整理番号:20A1884349

Cu2ZnSnSe4,NaF,KF化合物を用いた硫化によるCu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池の作製

Fabrication of Cu2ZnSn(S, Se)4 thin-film solar cells by sulfurization using Cu2ZnSnSe4, NaF and KF compounds
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巻: 59  号: SG  ページ: SGGF11 (6pp)  発行年: 2020年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜は,Cu2ZnSnSe4,NaF及びKF化合物から蒸発させた前駆体を硫化することにより作製した。ラマン分析の結果,前駆体はNaFを添加していない状態ではCu2SnSe3とCu2ZnSnSe4が混在した構造をしていたが,NaFを添加することでCu2SnSe3構造が支配的になることがわかった。硫化後は,前駆体の構造が異なっていても,すべての試料でCu2ZnSn(S,Se)4が形成されていた。電子プローブ分析の結果,硫化膜のS/(Se+S)モル比は0.95から0.97の範囲であった。また,NaFとKFを用いて作製したCu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池の開回路電圧Vocと短絡電流密度Jscは,KFのみを用いて作製した太陽電池よりも改善された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  太陽電池 

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