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J-GLOBAL ID：202002267004199747   整理番号：20A2734656

電子開放系におけるプラズモン減衰【JST・京大機械翻訳】

Plasmon Damping in Electronically Open Systems

著者 (2件)： Kapralov Kirill (Center for Photonics and 2d Materials, Moscow Institute of Physics and Technology, Dolgoprudny 141700, Russia) ,  Svintsov Dmitry (Center for Photonics and 2d Materials, Moscow Institute of Physics and Technology, Dolgoprudny 141700, Russia)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 125  号： 23  ページ： 236801  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体における電気的に制御されたプラズモニクスの急速な進歩は,プラズモンの特性に及ぼす電子貯留層の可能な影響についての疑問を提起する。電子開放系[i.e.(半)導体におけるプラズモンは,接触への電荷キャリア侵入とその後の熱化により,付加的減衰を起こしやすいことを見出した。界面における微視的境界条件による速度方程式に基づくこのような鉛誘起減衰の理論を開発し,続いて輸送非局所性に関する摂動理論を開発した。電子開放弾道システムにおけるプラズモンの寿命は,キャリアFermi速度によって分割された導体長の次数の有限であるように見える。半導体と完全導電性金属の接触におけるプラズモン入射の反射損失は,波位相速度によって分割されたFermi速度の順序の有限であるように見える。プラズモン支援光検出[[引用文献情報:原文を参照]]に関する最近の実験を,提案した鉛誘起減衰現象の観点から考察した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  摂動論 ,  半導体 ,  *プラズモン ,  鉛 ,  境界条件 ,  位相速度 ,  レート方程式 ,  *開放系 ,  光検出 ,  熱化 ,  非局所性 ,  導体
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  プラズモニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  電子構造一般  (BM02010K)

引用文献 (1件)：

• Nat. Commun. 9, 5392 (2018)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  開放系 ,  プラズモン ,  減衰