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J-GLOBAL ID：202002267168938746   整理番号：20A1804552

Ge_1-xSn_xナノワイヤの容易な合成【JST・京大機械翻訳】

Facile synthesis of Ge_1-xSn_x nanowires

著者 (7件)： Xu Ying (Department of Chemical and Materials Engineering, The University of Auckland, Auckland, New Zealand) ,  Al-Salim Najeh (Callaghan Innovation, PO Box 31-310,69 Gracefield Road, Lower Hutt, 5040, New Zealand) ,  Lim Teck Hock (Department of Physical Science, Faculty of Applied Sciences, Tunku Abdul Rahman University College, Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Bumby Chris W (Robinson Research Institute, Victoria University of Wellington, Wellington, New Zealand) ,  Cheong Soshan (Mark Wainwright Analytical Centre, University of New South Wales, Sydney, Australia) ,  Tilley Richard D (Mark Wainwright Analytical Centre, University of New South Wales, Sydney, Australia) ,  Tilley Richard D (School of Chemistry, University of New South Wales, Sydney, Australia)
資料名： Materials Research Express  (Materials Research Express)
巻： 7  号： 6  ページ： 064004 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5570A  ISSN： 2053-1591  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一次元Ge_1-xSn_xナノワイヤの容易なワンポット溶液相合成を報告する。これらのナノワイヤを溶液-液体-固体(SLS)法によりin situ合成し,そこではトリフェニルクロロゲルマニウムをスズナノ粒子シードの存在下でヒドリドホウ酸ナトリウムによって還元した。直線Ge_1-xSn_xナノワイヤを平均直径60±20nmと近似アスペクト比100で得た。エネルギー分散X線分光法(EDX)と粉末X線回折(PXRD)分析は,スズが10at%までのレベルでゲルマニウム格子内に均一に取り込まれ,0.5742nmの測定した格子定数をもたらすことを明らかにした。ナノワイヤの結晶構造と成長方向を高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)を用いて調べた。ナノワイヤは,他のグループIVナノワイヤと共通して,<111>,<110>または<112>方向に沿って成長を示す個々のワイヤを有する面心立方構造を採用した。<112>方向の成長は長手方向の平面双晶欠陥を伴うことが分かった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  格子定数 ,  双晶 ,  ゲルマニウム ,  スズ ,  近似法 ,  液相 ,  ヒドリドホウ酸ナトリウム ,  一次元 ,  *金属線 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  ナノ粒子 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： その場合成 ,  粉末X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (1件)： ナノワイヤ