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J-GLOBAL ID:202002267274356067   整理番号:20A0496284

CdSおよびMgZnOバッファを持つCdTe太陽電池のバルクおよびバック界面欠陥に及ぼす作製雰囲気の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Fabrication Atmosphere on Bulk and Back Interface Defects of CdTe Solar Cells with CdS and MgZnO Buffers
著者 (14件):
資料名:
巻: 2019  号: PVSC  ページ: 0177-0181  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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テルル化カドミウム(CdTe)太陽電池素子の性能は,作製雰囲気により影響を受ける吸収層と同様に,前面および背面界面の特性により制限される。本研究では,ZnMgO(ZMO)/CdTeと硫化カドミウム(CdS)/CdTe太陽電池の電気的性質を,温度依存インピーダンス分光法と静電容量-電圧測定を用いて異なる雰囲気中で行った塩化カドミウム(CdCl2)処理による詳細な研究を報告する。暗所で測定されたデバイスの複素インピーダンススペクトルに適合させるために,フロントとバックジャンクションの2つの直列組合せから成る等価回路モデルを用いた。等価回路からの適合データは,各要素の値を提供し,それから,セル内の空間不均一性だけでなく,バルク伝導率,背面接触障壁高さを抽出した。インピーダンス分光分析により,素子性能に及ぼす酸素フリー雰囲気中での背面処理の負の正の効果があることを示した。無酸素処理では,バルク伝導率の明らかな増加が観察され,素子中の銅ドーピングの増加が示唆された。さらに,ZMOデバイスはより少ない接合不均一性を示した。これらの改善はすべてZMO/CdTe太陽電池のより良い素子性能をもたらす。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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