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J-GLOBAL ID:202002267355717497   整理番号:20A0763554

透明導電性酸化インジウムすず/AgMg二層膜の光電子特性と曲げ特性に及ぼすMg含有量と熱処理の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Mg content and thermal treatments on optoelectronic and bending properties of transparent conductive indium tin oxide/AgMg bi-layer film
著者 (6件):
資料名:
巻: 697  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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酸化インジウムスズ(ITO)/AgMg(IAM)の透明導電性電極における金属層として,共スパッタリングにより堆積した種々のAg-Mg組成層の薄膜金属ガラスを用いた。一連のIAMシステムを確立し,オプトエレクトロニクス特性と組成変化の間の関係を明らかにした。炉またはレーザアニーリング前後の二層構造の光透過率と電気的性質を調べた。繰返し曲げ応力後のIAMの抵抗率の相対変化も決定し,二層構造のロバスト性を保証した。IAMは550nmで76.4%の光透過率と21.6Ω/□のシート抵抗率を示した。200°Cでの炉アニーリングは,すべてのIAM膜の性能指数を348まで改善した。炉熱処理において,ITO/10nm Ag_75mg_25膜は,83.0%の光透過率と12.5Ω/□のシート抵抗率で,1.24×10-2Ω-1の最高性能指数に達した。蒸着したままのIAMの抵抗率(ΔR/R_o)の相対的変化は,曲げ歪ε=0.357%の疲れ試験(10,000サイクル)に従い,0.42に等しく,ポリエチレンテレフタレート柔軟基板上の30nmのITO膜(ΔR/R_o=0.93)のそれより著しく低かった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  光物性一般 

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