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J-GLOBAL ID：202002267385134337   整理番号：20A1804586

GaNテンプレート上のSiN_x中のInNナノロッドの選択領域成長におけるボイドの形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of voids in selective area growth of InN nanorods in SiN_x on GaN templates

著者 (14件)： Zeghouane Mohammed (CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, Universite Clermont Auvergne F-63000, Clermont-Ferrand, France) ,  Andre Yamina (CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, Universite Clermont Auvergne F-63000, Clermont-Ferrand, France) ,  Andre Yamina (ITMO University, Kronverkskiy pr. 49 197101, St. Petersburg, Russia) ,  Avit Geoffrey (CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, Universite Clermont Auvergne F-63000, Clermont-Ferrand, France) ,  Jridi Jihen (CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, Universite Clermont Auvergne F-63000, Clermont-Ferrand, France) ,  Bougerol Catherine (Universite Grenoble-Alpes, CNRS-Institut Neel, 25 avenue des Martyrs 38000, Grenoble, France) ,  Coulon Pierre-Marie (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, Bath BA2 7AY, United Kingdom) ,  Ferret Pierre (CEA-DRT LETI/DTS, 17 rue des Martyrs 38054, Grenoble, France) ,  Castelluci Dominique (CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, Universite Clermont Auvergne F-63000, Clermont-Ferrand, France) ,  Gil Evelyne (CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, Universite Clermont Auvergne F-63000, Clermont-Ferrand, France) ,  Gil Evelyne (ITMO University, Kronverkskiy pr. 49 197101, St. Petersburg, Russia) ,  Shields Philip (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, Bath BA2 7AY, United Kingdom) ,  Dubrovskii Vladimir G (ITMO University, Kronverkskiy pr. 49 197101, St. Petersburg, Russia) ,  Trassoudaine Agnes (CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, Universite Clermont Auvergne F-63000, Clermont-Ferrand, France)
資料名： Nano Futures  (Nano Futures)
巻： 4  号： 2  ページ： 025002 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5572A  ISSN： 2399-1984  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターン化したGaN/c-Al_2O_3テンプレート上の選択領域水素化物気相エピタキシーにより成長させたInNナノロッド中のボイドの形成について,実験データおよび支持モデルを示した。InNとGaN材料間の高い格子不整合により,これらのボイド形状は,ベースから始まり,ナノロッドの全長の半分まで広がることを示した。基板とナノロッドの間の不整合の影響が弱くなると,中空ナノチューブは上部に接近し,さらなる成長はボイドのない標準ナノワイヤ形状で進行する。この効果はInN合成中の広範囲の成長条件の中で観察され,異なるデバイス応用に対するInNナノロッドの最終構造を制御するために考慮されなければならない。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  不整合 ,  パターン形成 ,  ナノチューブ ,  格子不整合 ,  ナノワイヤ ,  *ナノロッド

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  テンプレート ,  InN ,  ナノロッド ,  領域成長 ,  ボイド