近紫外LEDの光抽出効率に及ぼすパッケージ構造の影響【JST・京大機械翻訳】

Bing-qian Li

文献

J-GLOBAL ID：202002267403462189 整理番号：20A0499834

近紫外LEDの光抽出効率に及ぼすパッケージ構造の影響【JST・京大機械翻訳】

The Effect of Package Structure on the Light Extraction Efficiency of Near-Ultraviolet LED

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 2019 ページ： Null 発行年： 2019年
JST資料番号： U7744A ISSN： 1110-662X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

5つのパッケージ構造を持つ近紫外高出力LEDを設計し,製作した。種々のパッケージ構造の光への電気変換効率(EECL)を測定し,EECLを用いてパッケージ構造の光抽出効率(LEE)を特性化した。異なる界面での光のFresnel損失(FNL)と全内部反射損失(TIRL)を解析することにより,実験結果を定性的に説明した。近似球面レンズを用いると,チップとレンズの間にシリカゲルを充填することにより,LEEを改善することができる。素子のEECLは66.84%に達し,裸のチップのそれより55.10%高い。平面パッケージングにおいて,デバイスのEECLは,それがシリカゲルで満たされるか否かにかかわらず,裸のチップのものより低い。シリカゲルを充填した後に,新しいTIRLがデバイスの最終界面で生成され,デバイスのEECLはさらに低く,37.14%にすぎない。実験結果は,LEDチップがLEEを改善するためにグラフィック基板と表面微細構造を採用するとき,シリカゲル(またはエポキシ)の従来のコーティングとチップ表面上の他の材料がデバイスのLEEを改善しないことを示した。シリカゲル層の導入が新しい全内部反射界面に導くならば,素子のLEEの著しい減少をもたらす。シリカゲルのような層が新しい全反射界面をもたらさないとき,チップ表面のFNLとTIRLは効果的に減少し,LEDデバイスのLEEは改善できる。Copyright 2019 Li Bing-qian. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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発光素子

引用文献 (10件)：

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