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J-GLOBAL ID：202002267427802347   整理番号：20A0475924

ZnOの光触媒特性と機構に及ぼすLiドーピングと点空孔の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Li doping and point vacancy on photocatalytic properties and mechanism of ZnO

著者 (3件)： Hou Qingyu (College of Science, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot 010051, PR China) ,  Hou Qingyu (Inner Mongolia Key Laboratory of Thin Film and Coatings, Hohhot 010051, PR China) ,  Liu Yajing (College of Science, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot 010051, PR China)
資料名： Chemical Physics  (Chemical Physics)
巻： 531  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0167B  ISSN： 0301-0104  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LiドープZnOの点欠陥の制御は困難である。さらに,O空格子点(V_O)を有するLiドープZnOにおける吸収スペクトル分布には,赤および青方偏移実験予測の2つの報告がある。この問題を解決するために,一般化勾配近似(GGA)平面波超ソフト擬ポテンシャル+U(GGA+U)に基づく第一原理法を用いて,ZnO上のLiドーピングと点欠陥の光触媒特性を研究した。非ドープZnOと比較して,Li置換Zn(Li_Zn)とV_O,Li_ZnとZn空格子点(V_Zn),格子間Li(Li_i)とV_Zn,およびLi_Zn,Li_iとV_Znを有するZnOスーパーセルはより狭いバンドギャップと赤方偏移吸収スペクトル分布を有した。対照的に,Li_iとV_ZnによるZnOスーパーセルは,より広いバンドギャップと青方偏移した吸収スペクトル分布を持った。有効質量計算は,Li_ZnとV_Oを有するZnOスーパーセルがキャリアの最小有効質量を有し,従って電子-正孔対の分離を加速し,それにより光触媒活性を改善することを示した。電気双極子モーメントの解析は,Li_ZnとV_Oを有するZnOスーパーセルが最も強いキャリア活性を有することを示した。この条件は新しい光触媒の設計と調製に有利である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 青方偏移 ,  *光触媒 ,  点欠陥 ,  第一原理 ,  電子正孔対 ,  赤方偏移 ,  吸収スペクトル ,  *リチウム ,  平面波 ,  *ドーピング ,  有効質量 ,  *酸化亜鉛 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 擬ポテンシャル ,  一般化勾配近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Liドーピングと点空孔 ,  ZnO ,  光触媒 ,  第一原理

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  触媒特性 ,  Li ,  ドーピング ,  点 ,  空孔