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J-GLOBAL ID：202002267527430130   整理番号：20A0955927

光触媒水素発生を促進するためのSドープNH_2-UIO-66架橋ZnIn_2S_4/MOS_2ナノシートヘテロ構造において生成された電子移動の経路【JST・京大機械翻訳】

Path of electron transfer created in S-doped NH₂-UiO-66 bridged ZnIn₂S₄/MoS₂ nanosheet heterostructure for boosting photocatalytic hydrogen evolution

著者 (10件)： Ran Qi (School of Resources, Environment and Materials, Guangxi University, Nanning 530004, PR China. [e-mail]) ,  Yu Zebin ,  Jiang Ronghua ,  Qian Lun ,  Hou Yanping ,  Yang Fei ,  Li Fengyuan ,  Li Mingjie ,  Sun Qianqian ,  Zhang Heqing
資料名： Catalysis Science & Technology  (Catalysis Science & Technology)
巻： 10  号： 8  ページ： 2531-2539  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2461A  ISSN： 2044-4761  CODEN： CSTAGD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良く設計されたアーキテクチャの開発は,複合光触媒における光発生キャリア輸送の加速に決定的な役割を果たす。ここでは,ミクロ多孔性硫黄ドープ(Sドープ)NH_2-UiO-66架橋ZnIn_2S_4/MoS_2シートヘテロ構造光触媒を,硫黄リッチ前駆体の熱分解により合成し,NH_2-UiO-66の有機配位子を官能化し,光触媒効率を上げた。XPSスペクトルはSドープNH_2-UiO-66の存在を確認し,Ramanスペクトルは炭化の代わりに遷移金属支援硫化を示した。FT-IRスペクトルは,さらに,NH_2-UiO-66とZnIn_2S_4の間の界面におけるZn-O-C共有結合の形成を確認した。特に,Zn-O-C結合は光発生電子のエネルギーを保持し,ヘテロ構造の界面における電子のエネルギー緩和を抑制する。さらに,高い光触媒応答を有するNH_2-UiO-66は電子輸送ブリッジだけでなく電子ドナーとしても光発生電子の輸送を大きく促進する。三元複合材料のユニークな設計からの提案により,試料は優れたPHE性能を示した。得られたZnIn_2S_4/NH_2-UiO-66/5%-MoS_2(5.69mmol・h(-1)g(-1))は,ZnIn_2S_4(0.369mmol・h(-1)g(-1))と5%-MoS_2/ZnIn_2S_4(2.93mmol・h(-1)g~(-1))のものより,それぞれ15倍と1.9倍高いH_2発生率を示す。それは,それぞれ,15倍と1.9倍である。それは,5%-MoS_2/ZnIn_2S_4(2.93mmol・h(-1)g(-1))である。加えて,ZnIn_2S_4/NH_2-UiO-66/5%-MoS_2複合材料(7.95%)の見かけの量子効率は,420nmにおいて5%-MoS_2/ZnIn_2S_4複合材料(3.12%)のものより高かった。本研究は,光触媒水素発生のための新規で高効率な光触媒の設計への新しい洞察を提供する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  界面 ,  遷移金属 ,  熱分解 ,  硫化 ,  *ドーピング ,  スペクトル ,  共有結合 ,  *電子移動 ,  官能化 ,  *光触媒 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  有機配位子 ,  電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (10件)： 光触媒 ,  水素発生 ,  促進 ,  ドープ ,  UiO-66 ,  架橋 ,  ナノシート ,  ヘテロ構造 ,  電子移動 ,  経路