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J-GLOBAL ID:202002267539080335   整理番号:20A2008633

α-Sn(111)のトポロジカル表面状態の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of the topological surface states of α-Sn(111)
著者 (8件):
資料名:
巻: 384  号: 30  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0600B  ISSN: 0375-9601  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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α-Snは,異なるトポロジー相の結合の境界にある。それは適切な歪の下でトポロジー絶縁体に変換する。しかし,そのトポロジー表面状態(TSSs)の明確な描像はまだ不足している。ここでは,α-Sn(111)表面の電子構造に関する第一原理計算を行い,そのTSSを同定し,それらの性質を明らかにした。結果は,価電子帯の存在が逆spギャップのTSSを2つのDirac円錐に再組織化することを示した。より低いものは価電子帯連続体にある。上部は価電子帯と伝導バンドの間のギャップにある。また,歪および/またはスピン-軌道結合のオンオフまたはオフによる表面状態の変換を実証した。スピン-軌道結合なしでは,より低いDirac円錐に関連したTSSのみが生存し,それらはスピン非分極である。結果は,α-Snのトポロジー特性の理解とエンジニアリングに有用である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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絶縁体結晶の電子構造 
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