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J-GLOBAL ID：202002267544082387   整理番号：20A1191951

量子ドット材料工学は13%以上の量子ドット増感太陽電池効率を高める【JST・京大機械翻訳】

Quantum dot materials engineering boosting the quantum dot sensitized solar cell efficiency over 13%

著者 (4件)： Rao Huashang (Key Laboratory for Biobased Materials and Energy of Ministry of Education, College of Materials and Energy, South China Agricultural University, 483 Wushan Road, Guangzhou 510642, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhou Mengsi ,  Pan Zhenxiao ,  Zhong Xinhua
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 8  号： 20  ページ： 10233-10241  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドット(QD)集光材料の固有の電子構造と結晶品質は,得られたQD増感太陽電池(QDSCs)の光起電力性能を決定するための主要な理由の一つである。適切な高品質QDを利用することは,QDSCsの性能を改善するための重要な経路である。トラップ状態欠陥の密度を減少させるために,より広いバンドギャップを有するZnSeシェル層を,光捕集星材料Zn-Cu-In-Se(ZCISe)合金QDの周りに過剰成長させて,I型コア/シェル構造化ZCI/ZnSeを形成した。このQD材料工学を通して,QDSCsの平均電力変換効率(PCE)は,元のCuInSe_2に対応する9.54%から,合金化ZCISeに対する12.49%,およびコア/シェル構造化ZCISe/ZnSe QDに対する13.71%に改善された。AM1.5G1太陽照射下でZCIS/ZnSe QDSCsに対して13.49%の認証PCEを得た。この値はQDSCsの新しい記録効率である。ZCIS/ZnSe系QDSCs対ZCISeに対する光起電力性能の顕著な増強は,主にトラップ状態欠陥の密度の減少に起因し,光アノード/電解質界面での電荷再結合の抑制に有利であり,従って,光起電力と充填因子を改善した。定常状態光学分光法,ダイオード理想因子,過渡吸収,および電気化学インピーダンス分光特性化実験により,形成されたI型コア/シェル構造がトラップ状態欠陥の密度を低減し,電荷再結合を抑制し,結果としてのセルの光起電力性能を改善することを確認した。本研究はQDSCsの光起電力性能の改善におけるQD材料工学の大きな可能性を実証した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  光起電力 ,  合金 ,  *太陽電池 ,  *増感 ,  電解質 ,  合金化 ,  セレン化亜鉛 ,  集光 ,  *量子ドット ,  バンドギャップ ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 過渡吸収 ,  電力変換効率 ,  電荷再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子ドット ,  材料工学 ,  量子ドット増感太陽電池