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J-GLOBAL ID：202002267604106228   整理番号：20A0970740

Al-Ir系近似結晶の高圧合成を用いた原子欠損制御による熱電特性向上

Vacancy Control and Enhancement of Thermoelectric Properties of the Al-Ir Cubic Quasicrystalline Approximant via High-Pressure Synthesis

著者 (5件)： 岩崎祐昂 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  北原功一 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  北原功一 (産総研 東大先端オペランド計測技術オープンイノベーションラボラトリ) ,  木村薫 (東大 大学院新領域創成科学研究科) ,  木村薫 (産総研 東大先端オペランド計測技術オープンイノベーションラボラトリ)
資料名： 日本熱電学会誌  (Journal of the Thermoelectrics Society of Japan)
巻： 16  号： 3  ページ： 139-143  発行年： 2020年04月17日 
JST資料番号： F2331A  ISSN： 1349-4279  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・Al-Ir近似結晶の半導体化にはクラスタ内部のAlの欠損抑制が必須であり,本研究では,Alの欠損を抑制させたAl-Ir近似結晶を高圧合成(HPS)して,その熱電物性を明確化。
・HPSによって作製した試料のSeebeck係数は,通常の放電プラズマ焼結を用いてものと比較して,大きな値を獲得。
・格子定数およびアルミニウム組成は,Ir-12二十面体クラスタ中のAl原子数の増加のために,高圧になると増加。

シソーラス用語： 準結晶 ,  *熱電材料 ,  高圧 ,  空孔欠陥 ,  *アルミニウム合金 ,  *イリジウム合金 ,  輸送係数
準シソーラス用語： 近似結晶 ,  高圧合成 ,  原子空孔 ,  Seebeck係数

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (17件)：

• K. Kirihara and K. Kimura, J. Appl. Phys. 92, 979 (2002).
• J.T. Okada, T. Hamamatsu, S. Hosoi, T. Nagata, K. Kimura, and K. Kirihara, J. Appl. Phys. 101, 103702 (2007).
• Y. Takagiwa, T. Kamimura, S. Hosoi, J.T. Okada, and K. Kimura, J. Appl. Phys. 104, 073721 (2008).
• Y. Takagiwa, T. Kamimura, S. Hosoi, J.T. Okada, and K. Kimura, Zeitschrift Für Krist. - Cryst. Mater. 224, 79 (2009).
• Y. Takagiwa, T. Kamimura, J.T. Okada, and K. Kimura, Mater. Trans. 55, 1226 (2014).

タイトルに関連する用語 (7件)： Al ,  Ir ,  近似結晶 ,  高圧合成 ,  原子 ,  欠損 ,  熱電特性